<![CDATA[Semicorex Advanced Material Technology Co.,Ltd.]]>svSat, 10 Oct 2026 01:26:55 GMTSat, 10 Oct 2026 01:26:55 GMT<![CDATA[Vad är en halvledare?]]>news-105<![CDATA[Hur man klassificerar halvledare]]>news-106<![CDATA[Vad är SiC epitaxi?]]>news-107<![CDATA[Vad är epitaxial waferprocess?]]>news-109<![CDATA[Vad används epitaxiella wafers till?]]>news-111<![CDATA[Vad är ett MOCVD-system?]]>news-113<![CDATA[Vad är fördelen med kiselkarbid?]]>news-114<![CDATA[Chipbrist fortsätter att vara ett problem]]>news-116<![CDATA[Japan begränsade nyligen exporten av 23 typer av halvledartillverkningsutrustning]]>news-597<![CDATA[CVD-process för SiC wafer epitaxi]]>news-607<![CDATA[Kina förblev den största marknaden för halvledarutrustning]]>news-614<![CDATA[Diskuterar CVD-ugn]]>news-617<![CDATA[Applikationsscenarier för epitaxiella skikt]]>news-626<![CDATA[TSMC: 2nm process risk provproduktion nästa år]]>news-630<![CDATA[Medel på halvledarprojekt]]>news-637<![CDATA[MOCVD är nyckelutrustningen]]>news-642<![CDATA[Betydande tillväxt på marknaden för SiC-belagd grafitsusceptor]]>news-649<![CDATA[Vad är processen för SiC epitaxial?]]>news-655<![CDATA[Varför välja SiC-belagda grafitsusceptorer?]]>news-663<![CDATA[Vad är P-typ SiC wafer?]]>news-669<![CDATA[Olika typer av SiC-keramik]]>news-676<![CDATA[Koreanska minneskretsar rasade]]>news-684<![CDATA[Vad är SOI]]>news-690<![CDATA[Att känna Cantilever Paddle]]>news-693<![CDATA[Vad är CVD för SiC]]>news-697<![CDATA[Taiwans PSMC kommer att bygga 300 mm Wafer Fab i Japan]]>news-703<![CDATA[Semicorex tillkännager 8-tums SiC Epitaxial Wafer]]>news-707<![CDATA[Börja produktionen av 3C-SiC Wafer]]>news-1392<![CDATA[Om halvledarvärmeelement]]>news-1394<![CDATA[GaN industriapplikationer]]>news-1396<![CDATA[Översikt över utveckling av solcellsindustrin]]>news-1802<![CDATA[Vad är CVD-process i halvledare?]]>news-1803<![CDATA[TaC beläggning]]>news-1804<![CDATA[Vad är epitaxi i flytande fas?]]>news-1805<![CDATA[Varför välja vätskefas epitaximetod?]]>news-1806<![CDATA[Om defekter i SiC-kristaller - Mikrorör]]>news-1807<![CDATA[Dislokation i SiC-kristaller]]>news-1808<![CDATA[Torr etsning vs våt etsning]]>news-1809<![CDATA[SiC Epitaxi]]>news-1810<![CDATA[Vad är isostatisk grafit?]]>news-1811<![CDATA[Vad är processen för tillverkning av isostatisk grafit?]]>news-2240<![CDATA[Vad är cantilever paddlar?]]>news-2241<![CDATA[Vad är diffusionsugnen?]]>news-2242<![CDATA[Vad är SiC-belagda grafitsusceptorer?]]>news-2243<![CDATA[Hur man tillverkar grafitstänger?]]>news-2244<![CDATA[Vad är porös grafit?]]>news-2245<![CDATA[Tantalkarbidbeläggningar i halvledarindustrin]]>news-2246<![CDATA[LPE-utrustning]]>news-2248<![CDATA[TaC-beläggningsdegel för AlN-kristalltillväxt]]>news-2252<![CDATA[Metoder för AlN Crystal Growth]]>news-2255<![CDATA[TaC-beläggning med CVD-metod]]>news-2257<![CDATA[Temperaturens inverkan på CVD-SiC-beläggningar]]>news-2282<![CDATA[Kiselkarbid värmeelement]]>news-2288<![CDATA[Vad är kvarts?]]>news-2296<![CDATA[Kvartsprodukter i halvledarapplikationer]]>news-2303<![CDATA[Vad är C/C-komposit?]]>news-2307<![CDATA[Släppt 850V High Power GaN HEMT epitaxialprodukter]]>news-2315<![CDATA[Vi introducerar Physical Vapor Transport (PVT)]]>news-2319<![CDATA[Vad är isostatisk grafit?]]>news-2324<![CDATA[3 metoder för grafitformning]]>news-3046<![CDATA[Porös grafit för högkvalitativ SiC-kristalltillväxt med PVT-metoden]]>news-3047<![CDATA[Introduktion av kärnteknik för grafitbåt]]>news-3048<![CDATA[Beläggning i det termiska fältet av enkristaller av halvledarkisel]]>news-3170<![CDATA[Vad är grafitering?]]>news-3171<![CDATA[Introduktion av galliumoxid (Ga2O3)]]>news-3270<![CDATA[Tillämpningar av Gallium Oxide Wafer]]>news-3271<![CDATA[Fördelar och nackdelar med galliumnitrid (GaN) applikationer]]>news-3369<![CDATA[GaN vs SiC]]>news-3371<![CDATA[Kan man slipa kiselkarbid?]]>news-3566<![CDATA[Vad är kiselkarbid (SiC)?]]>news-3567<![CDATA[Kiselkarbidindustrin]]>news-3568<![CDATA[Vilka är utmaningarna med produktion av kiselkarbidsubstrat?]]>news-3569<![CDATA[Vad är SiC-belagd grafitsusceptor?]]>news-3570<![CDATA[Termiskt fältisoleringsmaterial]]>news-3740<![CDATA[Vad är en TaC-beläggning på grafit?]]>news-3742<![CDATA[Skillnader mellan SiC-kristaller med olika strukturer]]>news-3744<![CDATA[Det första 6-tums företaget för industrialisering av galliumoxidsubstrat]]>news-3747<![CDATA[Process för skärning och slipning av substrat]]>news-3751<![CDATA[Applikationer av TaC-belagda grafitkomponenter]]>news-3753<![CDATA[Att känna till MOCVD]]>news-3755<![CDATA[Betydelsen av porösa grafitmaterial för SiC-kristalltillväxt]]>news-4072<![CDATA[Dopingkontroll vid sublimering av SiC-tillväxt]]>news-4073<![CDATA[Fördelar med SiC i elbilsindustrin]]>news-4232<![CDATA[Kisel epitaxiella skikt och substrat i halvledartillverkning]]>news-4236<![CDATA[Ökningen och utsikterna för marknaden för kiselkarbid (SiC) kraftenheter]]>news-4238<![CDATA[Plasmaprocesser i CVD-operationer]]>news-4244<![CDATA[Att känna till GaN]]>news-4438<![CDATA[Den avgörande rollen för epitaxiella skikt i halvledarenheter]]>news-4439<![CDATA[Porös grafit för SiC-kristalltillväxt]]>news-4440<![CDATA[Epitaxiella skikt: Grunden för avancerade halvledarenheter]]>news-4441<![CDATA[Metod för framställning av SiC-pulver]]>news-4679<![CDATA[Introduktion till kiselkarbidjonimplantation och glödgningsprocessen]]>news-4683<![CDATA[Vad är en SiC-båt, och vilka är dess olika tillverkningsprocesser?]]>news-4689<![CDATA[Kiselkarbidapplikationer]]>news-4700<![CDATA[Applikations- och utvecklingsutmaningar för TaC-belagda grafitkomponenter]]>news-4710<![CDATA[Kiselkarbid(SiC) Kristalltillväxtugn]]>news-4730<![CDATA[Nyckelparametrar för kiselkarbid (SiC) substrat]]>news-4739<![CDATA[Huvudsteg i SiC-substratbearbetning]]>news-4749<![CDATA[Substrat vs. epitaxi: nyckelroller i halvledartillverkning]]>news-4757<![CDATA[Introduktion till tredje generationens halvledare: GaN och relaterade epitaxialteknologier]]>news-4784<![CDATA[Svårigheter att förbereda GaN]]>news-4798<![CDATA[En kort historia av kiselkarbid och tillämpningar av kiselkarbidbeläggningar]]>news-4803<![CDATA[Silicon Carbide Wafer Epitaxi Technology]]>news-4824<![CDATA[Introduktion till kiselkarbidkraftenheter]]>news-5256<![CDATA[Fördelar med kiselkarbidkeramik i den optiska fiberindustrin]]>news-5257<![CDATA[Förstå torretsningsteknik i halvledarindustrin]]>news-5258<![CDATA[Silikonkarbidsubstrat]]>news-5502<![CDATA[Svårigheter att förbereda SiC-substrat]]>news-5503<![CDATA[Förstå den kompletta tillverkningsprocessen för halvledarenheter]]>news-5504<![CDATA[Olika tillämpningar av kvarts i halvledartillverkning]]>news-5505<![CDATA[Utmaningar med jonimplantationsteknik i SiC och GaN Power Devices]]>news-5506<![CDATA[Jonimplantat och diffusionsprocess]]>news-5507<![CDATA[Kärnmaterial för SiC-tillväxt: Tantalkarbidbeläggning]]>news-6358<![CDATA[Vilka är fördelarna och nackdelarna med torretsning och våtetsning?]]>news-6379<![CDATA[Vad är CMP Process]]>news-6389<![CDATA[Hur man gör CMP Process]]>news-6395<![CDATA[Varför växer inte Gllium Nitride (GaN) epitaxi på ett GaN-substrat?]]>news-6408<![CDATA[Oxidationsprocess]]>news-6420<![CDATA[Defektfri epitaxiell tillväxt och misspassade dislokationer]]>news-6426<![CDATA[4:e generationens halvledare Gallium Oxide/β-Ga2O3]]>news-6435<![CDATA[Tillämpning av SiC och GaN i elfordon]]>news-6443<![CDATA[SiC-substratens och kristalltillväxtens kritiska roll i halvledarindustrin]]>news-6459<![CDATA[Processflöde av kiselkarbidsubstrat]]>news-6473<![CDATA[Vad är skillnaden mellan epitaxiella och diffusa wafers]]>news-6481<![CDATA[Gallium Nitride Epitaxial Wafers: En introduktion till tillverkningsprocessen]]>news-6492<![CDATA[SiC-skärning]]>news-6505<![CDATA[SiC Boats vs Quartz Boats: Nuvarande användning och framtida trender inom halvledartillverkning]]>news-6512<![CDATA[Silicon Wafer]]>news-6525<![CDATA[Förstå kemisk ångavsättning (CVD): En omfattande översikt]]>news-6535<![CDATA[Substrat och epitaxi]]>news-6545<![CDATA[Monokristallint kisel vs. polykristallint kisel]]>news-6555<![CDATA[High-Purity CVD Thick SiC: Process Insights for Material Growth]]>news-6562<![CDATA[Heteroepitaxy of 3C-SiC: En översikt]]>news-6579<![CDATA[Tillväxtprocess för tunnfilm]]>news-6588<![CDATA[Avmystifierande elektrostatisk chuck-teknik (ESC) vid waferhantering]]>news-6595<![CDATA[Vad är grafitiseringsgrad?]]>news-6604<![CDATA[Kiselkarbidkeramik och deras olika tillverkningsprocesser]]>news-6613<![CDATA[SiC-keramik: det oumbärliga materialet för högprecisionskomponenter i halvledartillverkning]]>news-6635<![CDATA[GaN Single Crystal]]>news-6646<![CDATA[Högren kvarts: ett oumbärligt material för halvledarindustrin]]>news-6654<![CDATA[Metod för GaN Crystal Growth]]>news-6662<![CDATA[Reningsteknik för grafit i SiC-halvledare]]>news-7341<![CDATA[Tekniska utmaningar i kiselkarbidkristalltillväxtugnar]]>news-7345<![CDATA[En recension av 9 sintringstekniker för kiselkarbidkeramik]]>news-7348<![CDATA[Vilka tillämpningar av galliumnitrid (GaN) substrat?]]>news-7356<![CDATA[Forskningsframsteg för TaC-beläggningar på kolbaserade materialytor]]>news-7364<![CDATA[Isostatisk grafitproduktionsteknik]]>news-7385<![CDATA[Vad är termiskt fält?]]>news-7389<![CDATA[GaN och SiC: samexistens eller substitution?]]>news-7393<![CDATA[Vad är elektrostatisk chuck (ESC)?]]>news-7397<![CDATA[Specialiserade beredningstekniker för kiselkarbidkeramik]]>news-7398<![CDATA[Förstå etsningsskillnaderna mellan kisel- och kiselkarbidskivor]]>news-8008<![CDATA[Vad är Silicon Nitride]]>news-8009<![CDATA[Varför välja trycklös sintring för SiC-keramisk beredning?]]>news-8010<![CDATA[Analysera tillämpningar och utvecklingsmöjligheter för SiC-keramik inom halvledar- och solcellssektorerna]]>news-8011<![CDATA[Oxidation i halvledarbearbetning]]>news-8012<![CDATA[Monokristallin kiseltillverkning]]>news-8013<![CDATA[Vad är Crystal Growth Furnace System]]>news-8015<![CDATA[Studien om fördelningen av elektrisk resistivitet i n-Type 4H-SiC-kristaller]]>news-8016<![CDATA[Hur appliceras kiselkarbidkeramik och vad är dess framtid när det gäller slitage och hög temperaturbeständighet?]]>news-8017<![CDATA[Varför använda ultraljudsrengöring i halvledartillverkning]]>news-8018<![CDATA[Studien om reaktionssintrad SiC-keramik och deras egenskaper]]>news-8019<![CDATA[Vad är termisk glödgning]]>news-8020<![CDATA[Att uppnå högkvalitativ SiC-kristalltillväxt genom temperaturgradientkontroll i den inledande tillväxtfasen]]>news-8021<![CDATA[Chiptillverkning: tunnfilmsprocesser]]>news-8580<![CDATA[Hur tillverkas keramiska elektrostatiska chuckar egentligen?]]>news-8581<![CDATA[Glödgningsprocesser i modern halvledartillverkning]]>news-8582<![CDATA[Varför finns det en ökande efterfrågan på SiC-keramik med hög värmeledningsförmåga i halvledarindustrin?]]>news-8583<![CDATA[Vi introducerar Silicon Material]]>news-8584<![CDATA[SiC Single Crystal Substrate Processing]]>news-8585<![CDATA[Kristallorientering och defekter i kiselwafers]]>news-8586<![CDATA[Ytpolering av silikonwafers]]>news-8587<![CDATA[Det fatala felet i GaN]]>news-8588<![CDATA[Slutlig polering av kiselskivans yta]]>news-8589<![CDATA[Hur tillverkas kiselkarbid?]]>news-9849<![CDATA[Wolfspeed pausar tyska halvledaranläggnings konstruktionsplaner]]>news-9850<![CDATA[Strukturen hos elektrostatisk chuck (ESC)]]>news-9851<![CDATA[Vad är lågtemperaturplasmaetsning?]]>news-9852<![CDATA[Homoepitaxi och Heteroepitaxi Enkelt förklarat]]>news-9853<![CDATA[SiC-belagda susceptorer i MOCVD-processer]]>news-9854<![CDATA[Applicering av kolfiberkomposit]]>news-9855<![CDATA[Semicorex-teknik för specialgrafit]]>news-9856<![CDATA[Utforska framtidsutsikterna för kiselhalvledarchips]]>news-9858<![CDATA[Vilka är tillämpningarna av SiC- och TaC-beläggningar inom halvledarområdet?]]>news-9861<![CDATA[SK Siltron utökar sin SiC Wafer-produktion med ett lån på 544 miljoner dollar från det amerikanska energidepartementet]]>news-9864<![CDATA[Tillämpning av GaN]]>news-9865<![CDATA[Vad är Dummy Wafer]]>news-9867<![CDATA[Defektdetektering i bearbetning av kiselkarbidskivor]]>news-9868<![CDATA[PECVD-process]]>news-9870<![CDATA[Halvledardopningsprocess]]>news-9871<![CDATA[Fusionen mellan AI och fysik: CVD Technological Innovation Bakom Nobelpriset]]>news-9874<![CDATA[Etsningsprocessparametrar]]>news-9875<![CDATA[Vad är skillnaden mellan grafitisering och karbonisering]]>news-9876<![CDATA[Nästan 840 miljoner dollar: Onsi förvärvar ett SiC-företag]]>news-9878<![CDATA[Syntetiserar kiselkarbidpulver med hög renhet]]>news-9879<![CDATA[Enheten i halvledare: Ångström]]>news-9881<![CDATA[SiGe in Chip Manufacturing: A Professional News Report]]>news-9883<![CDATA[SiGe och Si Selective Etching Technology]]>news-9886<![CDATA[AlN-kristalltillväxt med PVT-metod]]>news-9888<![CDATA[Hierarkiska porösa kolmaterial: syntes och introduktion]]>news-9890<![CDATA[Glödgning]]>news-9892<![CDATA[Vad är halvledarjonimplantationsteknik?]]>news-9894<![CDATA[Vad är en dummy wafer?]]>news-9896<![CDATA[Vilka utmaningar är inblandade i SiC-tillverkning?]]>news-9899<![CDATA[Wafer tillverkning]]>news-9901<![CDATA[Czochralski-metoden]]>news-9903<![CDATA[Tillämpningsmöjligheterna för 12-tums kiselkarbidsubstrat]]>news-9905<![CDATA[Tillämpningar av kiselkarbid]]>news-9908<![CDATA[Fördelar med TAC -beläggning i SIC -enkelkristalltillväxt]]>news-10717<![CDATA[Hur avancerade material löser 3 kritiska utmaningar i halvledarens ugnsdesign]]>news-10718<![CDATA[Vilka är tillämpningarna av keramiska membran med kiselkarbid]]>news-10719<![CDATA[Intrinsisk kisel]]>news-10720<![CDATA[Kiselkarbid keramisk membran: ett nytt separationsmembran som förväntas ersätta olika oorganiska membran]]>news-10721<![CDATA[TAC -belagd degel i Sic Crystal Growth]]>news-10722<![CDATA[Vad är glasliknande kolbeläggning]]>news-10723<![CDATA[Elektronisk kiselkarbidpulver]]>news-10724<![CDATA[Vad är ALN -värmare]]>news-10989<![CDATA[Halvledar keramiska delar]]>news-10990<![CDATA[LPE är den viktiga metoden för att framställa P-typ 4H-SIC Single Crystal och 3C-Sic Single Crystal]]>news-10992<![CDATA[Keramisk värmare]]>news-10994<![CDATA[Kiselkarbidkraftsindustrin]]>news-11287<![CDATA[Introduktion av aluminiumoxidmaterial]]>news-11289<![CDATA[Keramiska membran]]>news-11292<![CDATA[Halvledare duschhuvuden]]>news-11295<![CDATA[Precision keramiska komponenter i halvledare]]>news-11298<![CDATA[Doping Technology of Fz Silicon]]>news-11302<![CDATA[Syntesmetod för kiselpulver med hög renhet (SIC)]]>news-11307<![CDATA[Kol/kolkompositgjutningsprocess]]>news-11312<![CDATA[Applikationer av PBN -material]]>news-11318<![CDATA[Ledande belagda grafitvärmare]]>news-11324<![CDATA[Varför behöver kvartsen glödgas]]>news-11330<![CDATA[Gan marknadsförändringar]]>news-11336<![CDATA[Grafitprodukter för vakuumugn]]>news-11342<![CDATA[Stora keramiska komponenter i halvledartillverkning]]>news-11348<![CDATA[Vad är skillnaden mellan arsenikdoping och fosfordoping i enkristallsilikon]]>news-11354<![CDATA[Keramisk underlag i kiselnitrid]]>news-11837<![CDATA[Kiselkarbidbåt]]>news-11840<![CDATA[Vilka är de tekniska svårigheterna med Sic Crystal Growth Furnace]]>news-11924<![CDATA[Vad är diffusionsprocess]]>news-11975<![CDATA[Vad är kiselkarbidskivmembran]]>news-12433<![CDATA[Varför är isostatisk grafit mycket beröm på materialmarknaden?]]>news-12435<![CDATA[Aluminiumoxidsubstrat för elektronisk förpackning]]>news-12438<![CDATA[Vad är belastningen av kvartsglasdelar]]>news-12442<![CDATA[4. মহাকাশ: রকেট অগ্রভাগ, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধী উপাদান, ইত্যাদি]]>news-12446<![CDATA[Vad är den kemiska ångavsättningen?]]>news-12450<![CDATA[Hur keramiska substrat stödjer kraftmoduler för fordon]]>news-12455<![CDATA[Vad är plasmatärning?]]>news-12462<![CDATA[Vad är ringar i etsning]]>news-12468<![CDATA[Vad är omkristalliserad kiselkarbidkeramik?]]>news-12474<![CDATA[Duschmunstycken i Etsning]]>news-12479<![CDATA[Vad är wafer bonding-teknologi?]]>news-12486<![CDATA[Introduktionen till tre typer av oxidationsprocesser]]>news-12495<![CDATA[SiC Ingot Processing]]>news-12502<![CDATA[Skillnaden mellan dummy, forskning, produktionskvalitet SiC-substrat]]>news-12512<![CDATA[Silikonkomponenter för torretsning]]>news-12522<![CDATA[Vilka indikatorer bör man vara uppmärksam på när man väljer lämpliga wafers?]]>news-12530<![CDATA[Keramisk vakuumchuck]]>news-12539<![CDATA[Vad är dopingprocess?]]>news-12548<![CDATA[Ytbehandling för avancerad elektrostatisk chuck]]>news-12559<![CDATA[Vad är SOI?]]>news-12569<![CDATA[SiC-kristaller framställda med PVT-metoden]]>news-12581<![CDATA[Vad är den aerostatiska glidbanan av kiselkarbid?]]>news-12592<![CDATA[Varför böjs sidoväggarna vid torretsning]]>news-12599<![CDATA[Kärnparametrarna i torretsning]]>news-12609<![CDATA[Vad är Silicon Epitaxi Process?]]>news-12619<![CDATA[Vad är självsmörjande bussning]]>news-12630<![CDATA[Varför introduceras CO2 under Wafer Saw Process]]>news-12640<![CDATA[Vad är diskning och erosion i CMP-processen?]]>news-12650<![CDATA[Etsning och etsad morfologi]]>news-12659<![CDATA[Hur skyddar TaC Coating grafitkomponenter i halvledare]]>news-12668<![CDATA[Vad är det för skåra på wafers?]]>news-12682<![CDATA[Kisel, kiselkarbid och galliumnitrid]]>news-13681<![CDATA[Hur genereras spänningen i halvledarkvartsprodukter?]]>news-13721<![CDATA[Högren smält kvartsdegel för enkristalldragning]]>news-13724<![CDATA[Hur man väljer rätt styv filt för ljudisolering och akustikpaneler]]>news-13730<![CDATA[Varför har vertikala ugnar blivit det vanliga valet?]]>news-13950<![CDATA[Vad är partikeldefekterna?]]>news-13965<![CDATA[SiC keramiska mekaniska tätningar]]>news-13984<![CDATA[Vilken funktion har fokusringar?]]>news-13998<![CDATA[Vad är första generationens, andra generationens, tredje generationens och fjärde generationens halvledarmaterial?]]>news-14009<![CDATA[Förberedelseprocess för SiC-keramik]]>news-14020<![CDATA[Vad är Semiconductor Wafer Cleaning?]]>news-14034<![CDATA[Sintring av aluminiumoxidkeramik]]>news-14048<![CDATA[Vad är The Glass Wafers?]]>news-14060<![CDATA[Keramiska substrat: Al2O3, AlN, Si3N4]]>news-14072<![CDATA[Solenergi lyser upp livet]]>news-14084<![CDATA[Vad är den luftflytande rullen?]]>news-14096<![CDATA[En översikt över SOI-substrat]]>news-14109<![CDATA[Analys av kol-keramiska kompositbromssystem]]>news-14121<![CDATA[Vad är torrgastätningssystemet?]]>news-14132<![CDATA[Vad är de keramiska kiselkarbidmembranen?]]>news-14143<![CDATA[Är kolkeramiska bromsar bättre]]>news-14154<![CDATA[Hur tillverkas halvledarkvartsugnsrör?]]>news-14162<![CDATA[Porös aluminiumoxid vakuumchuck]]>news-14167<![CDATA[Varför får SiC-membran så mycket uppmärksamhet?]]>news-14924<![CDATA[Vad är kolkeramiska bromsskivor?]]>news-14926<![CDATA[Viskosbaserad filt i induktionsvärmeugn]]>news-14930<![CDATA[Vilka är utmaningarna vid tillverkning av SiC-substrat?]]>news-14934<![CDATA[Vad är kiselkarbid?]]>news-14941<![CDATA[Kolfilt i induktionsvärmeugn - del 2]]>news-14947<![CDATA[Modifiering av kolfiber]]>news-14950<![CDATA[Vanliga halvledarkvartskomponenter och applikationer]]>news-14957<![CDATA[Silicon Carbide Wafer Boats: de "osynliga väktarna av wafers" i Semiconductor]]>news-15417<![CDATA[Vanliga avbindningsmetoder]]>news-15420<![CDATA[Vad är kol-keramiska kompositer?]]>news-15425<![CDATA[Marknadsutveckling av kolkeramiska material]]>news-15432<![CDATA[Tantalkarbidkeramik – ett nyckelmaterial inom halvledare och flyg.]]>news-15438<![CDATA[Vilka är LPCVD-processerna?]]>news-15453<![CDATA[Nya forskningsrön om grafen]]>news-15462<![CDATA[Kort introduktion av högren grafitplattor]]>news-15470<![CDATA[En kort introduktion till dummy wafers]]>news-15479<![CDATA[Vad är temperaturgradienten i det termiska fältet?]]>news-15489<![CDATA[Detaljerad förklaring av Semiconductor CVD SiC Process Technology (Part.I)]]>news-15508<![CDATA[Hur väljer man de optimala grafitprodukterna för din applikation?]]>news-15518<![CDATA[Detaljerad förklaring av Semiconductor CVD SiC Process Technology (Del.Ⅱ)]]>news-15529<![CDATA[Semiconductor CVD SiC Process Technology]]>news-15538<![CDATA[Varför är kiselkarbidbelagd ett smartare val för krävande processmiljöer?]]>news-15934<![CDATA[Vad är skillnaderna mellan epitaxi och CVD]]>news-16177<![CDATA[Egenskaper och halvledartillämpningar av kiselkarbidkeramik]]>news-16179<![CDATA[Termiskt isoleringsmaterial av kolfiber]]>news-16181<![CDATA[Kort introduktion till tillverkningsprocessen för SiC Wafer]]>news-16183<![CDATA[Nyckelteknologier för kol/kolkompositmaterial]]>news-16185<![CDATA[Optimering av termisk fältdesign för SiC epitaxial ugn (hot-wall CVD reaktor)]]>news-16186<![CDATA[Keramiska vakuumchuckar]]>news-16187<![CDATA[Vilka roller spelar glödgningsprocessen?]]>news-16188<![CDATA[Varför Focus Ring är oumbärlig för etsningsutrustning?]]>news-16189<![CDATA[Kort introduktion till kiselwafers med hög resistivitet]]>news-16191<![CDATA[Semicorex Ceramic tillämpas i halvledarbearbetning]]>news-16192<![CDATA[Huvudtyper av termisk oxidation]]>news-16195<![CDATA[Orsaker till klyftan mellan praktisk och teoretisk värmeledningsförmåga hos kiselnitridkeramik]]>news-16198<![CDATA[Halvledaretsningsprocessteknik]]>news-16202<![CDATA[Varför blir porösa aluminiumoxidchuckar det föredragna valet för precisionshalvledartillverkning]]>news-16207<![CDATA[NVIDIA Rubin GPU:er byter helt till grafen termiska kuddar]]>news-16770<![CDATA[Kärntillämpningar av aluminiumoxidkeramiska komponenter i halvledaren]]>news-16774<![CDATA[Är kiselkarbid fribärande paddlar den ultimata lösningen för högtemperaturhalvledarbearbetning]]>news-16779<![CDATA[Varför är CVD SiC-beläggningar ett måste för MOCVD-grafitsusceptorer?]]>news-16791<![CDATA[Varför är en skräddarsydd porös keramisk chuck den ultimata lösningen för högprecision halvledartillverkning]]>news-16970<![CDATA[Utvecklingshistoria för keramiska membran]]>news-17027<![CDATA[Hur viktiga är kiselkarbidwaferbåtar?]]>news-17030<![CDATA[Är grafit styv filtisoleringscylindrar den ultimata högtemperaturisoleringslösningen för moderna värmesystem]]>news-17034<![CDATA[Kolbaserat termiskt fältsystem]]>news-17041<![CDATA[Introduktion av Fused Quartz Rengöringstankar]]>news-17249<![CDATA[Skillnader mellan vakuumchuckar och elektrostatiska chuckar]]>news-17250<![CDATA[Semicorex SiC-komponenter i högtemperaturugn]]>news-17252<![CDATA[Jämförelse med tre vanliga fokusringar]]>news-17255<![CDATA[Varför blir TaC-belagda grafitwafer-susceptorer viktiga för avancerad halvledartillverkning]]>news-17260<![CDATA[Silicon Carbide Wafer Båt]]>news-17270<![CDATA[Varför applicera CVD SiC-beläggning på grafitsusceptorer?]]>news-17555<![CDATA[Kort introduktion av snabb termisk glödgning]]>news-17561<![CDATA[Halvledarugnsreaktor]]>news-17596<![CDATA[Strukturella skillnader mellan olika typer av reaktorer]]>news-17597<![CDATA[Hur aluminiumoxidkeramiska chuckar eliminerar statisk elektricitet och kontaminering under waferetsning?]]>news-17749<![CDATA[Anledningar till att installera dummy wafers i PUR-processer]]>news-17750<![CDATA[SiC mekaniska tätningar]]>news-17751<![CDATA[Vad är mekanisk tätning]]>news-17755<![CDATA[Anledningen till att dosera spårsyre i högtemperaturugnglödgning]]>news-17761<![CDATA[Hur kan porös grafit för luftsvävande lager förbättra precisionsrörelseprestanda i avancerad tillverkning]]>news-17769<![CDATA[Dislokationsbildningsmekanismer i sent skede av kiselkristalltillväxt]]>news-18049<![CDATA[Olika klassificeringar av högren grafit]]>news-18050<![CDATA[Varför påverkar dislokationer den mekaniska styrkan hos monokristallint kisel]]>news-18052<![CDATA[Krav för kvartssand vid tillverkning av kvartsdegel]]>news-18054<![CDATA[Varför är<100>Orienterat monokristallint kisel det "optimala valet" för halvledarindustrin?]]>news-18058Orienterat monokristallint kisel det "optimala valet" för halvledarindustrin?]]><![CDATA[Pyrolytisk kolbeläggning - kolpansar odlad från gas]]>news-18066<![CDATA[Hur kan kiselkarbidtätningar förbättra prestanda i extrema industriella tillämpningar]]>news-18327<![CDATA[Vad är grafitkristalliserare]]>news-18328<![CDATA[En kort introduktion till tantalkarbidbeläggning]]>news-18333<![CDATA[En kort introduktion till Semiconductor Showerhead]]>news-18336<![CDATA[Varför är belagd isostatisk grafit branschens föredragna lösning?]]>news-18549<![CDATA[Hur man väljer grafitkvalitet för olika metallgjutning]]>news-18550<![CDATA[Tillämpningar av precisionskeramik inom halvledarområdet]]>news-18553<![CDATA[Vad används kvarts till i halvledare?]]>news-18560<![CDATA[Kan PECVD-grafitbåtar vara nyckeln till mer konsekvent och effektiv solcellsbeläggning]]>news-18567<![CDATA[Vilken roll har bipolära plattor i en bränslecell]]>news-18583