Semicorex SiC-belagda grafitwaferbärare, de högpresterande waferbärande komponenterna, är konstruerade för epitaxiell tillväxt av wafer i avancerad metallorganisk kemisk ångavsättningsutrustning. Genom att samarbeta med Semicorex kommer du att njuta av konsekvent prestanda, konkurrenskraftiga priser och genomtänkt service.
Vid tillverkning av halvledarskivor måste ett eptaxiellt lager odlas på wafersubstratet så att halvledarenheter kan tillverkas i efterföljande steg. Som den oumbärliga förbrukningsbara komponenten i skivepitaxialprocessen som direkt kommer i kontakt med wafersubstratet, utövar prestandan hos SiC-belagda grafitwaferbärare en betydande inverkan på likformigheten och renheten hos det epitaxiella materialets tillväxt. Av denna anledning är det avgörande för användare att välja en optimal SiC-belagd grafitwaferbärare.
Att använda högren grafit för att tillverka basen av waferbärare och använda en uniformCVD SiC-beläggningför att ge waferbäraren "skyddande rustning" är Semicorex dedikerad till att erbjuda en högkvalitativ SiC-belagd grafitwaferbärare som kan ge tillförlitligt strukturellt stöd för wafersubstrat i utmanande epitaxiella processer, och därigenom säkerställa stabil och pålitlig tillväxt av epitaxialmaterial.
S. Grafitbasen har överlägsen värmeledningsförmåga, vilket möjliggör snabb och jämn värmefördelning under epitaxiella processer.
B. Med en relativt låg termisk expansionskoefficient kan grafitbasen säkerställa vårSiC-belagda grafitwaferbäraretål frekventa termiska cykler utan att lätt deformeras.
C. Grafitmaterial har utmärkt mekanisk styrka, så våra SiC-belagda grafitwaferbärare kan säkert stödja wafersubstrat under långvariga epitaxiapplikationer.
Renheten hos CVD SiC-beläggning kan nå ppb-nivån, vilket minimerar kontamineringen mellan waferbäraren och wafersubstratet, vilket helt uppfyller halvledarindustrins stränga renhetskrav.
CVD SiC-beläggningen har en tät struktur och kan helt isolera grafitbasen från hög temperatur och högkorrosiva miljöer och effektivt hämma den kemiska korrosionen och oxidationen av grafitbasen, vilket säkerställer tillförlitlig drift av vår SiC-belagda grafitwaferbärare under lång tid.
CVD SiC-beläggningen ger exceptionell värmeledningsförmåga och en liknande termisk expansion till grafitbasen. Den uppvisar stark bindningsstyrka med grafitbasen och är mindre benägen att spricka eller flagna även under dramatiska temperaturförändringar.