Infineon presenterar världens första 300 mm Power GaN Wafer

Nyligen tillkännagav Infineon Technologies den framgångsrika utvecklingen av världens första 300 mm kraftfulla Gallium Nitride (GaN) waferteknologi. Detta gör dem till det första företaget att bemästra denna banbrytande teknik och uppnå massproduktion inom befintliga storskaliga, högkapacitetsproduktionsmiljöer. Denna innovation markerar ett betydande framsteg på den GaN-baserade krafthalvledarmarknaden.

Hur jämför 300 mm-tekniken med 200 mm-tekniken?

Jämfört med 200 mm-teknik möjliggör användning av 300 mm wafers produktion av 2,3 gånger fler GaN-chips per wafer, vilket avsevärt förbättrar produktionseffektiviteten och produktionen. Detta genombrott konsoliderar inte bara Infineons ledarskap inom kraftsystemsområdet utan accelererar också den snabba utvecklingen av GaN-teknologi.

Vad sa Infineons VD om denna prestation?

Infineon Technologies VD Jochen Hanebeck sa: "Denna anmärkningsvärda prestation visar vår starka styrka inom innovation och är ett bevis på vårt globala teams obevekliga ansträngningar. Vi är övertygade om att detta tekniska genombrott kommer att omforma industrinormer och frigöra GaN-teknikens fulla potential. Nästan ett år efter vårt förvärv av GaN Systems visar vi återigen vår beslutsamhet att leda på den snabbt växande GaN-marknaden. Som ledare inom kraftsystem har Infineon fått en konkurrensfördel inom tre nyckelmaterial: kisel, kiselkarbid och GaN."

Infineons VD Jochen Hanebeck har en av världens första 300 mm GaN Power-wafers producerade i en befintlig och skalbar tillverkningsmiljö för stora volymer

Varför är 300 mm GaN-tekniken fördelaktig?

En betydande fördel med 300 mm GaN-tekniken är att den kan produceras med hjälp av befintlig utrustning för tillverkning av 300 mm kisel, eftersom GaN och kisel delar likheter i tillverkningsprocesser. Denna funktion gör det möjligt för Infineon att sömlöst integrera GaN-teknik i sina nuvarande produktionssystem, och därigenom påskynda teknikens införande och tillämpning.

Var har Infineon framgångsrikt producerat 300 mm GaN wafers?

För närvarande har Infineon framgångsrikt tillverkat 300 mm GaN wafers på de befintliga 300 mm kiselproduktionslinjerna vid sitt kraftverk i Villach, Österrike. Bygger på den etablerade grunden för 200 mm GaN-teknik och 300 mm kiselproduktion, har företaget utökat sin tekniska och produktionskapacitet ytterligare.

Vad betyder detta genombrott för framtiden?

Detta genombrott belyser inte bara Infineons styrkor inom innovation och storskalig produktionskapacitet utan lägger också en solid grund för den framtida utvecklingen av krafthalvledarindustrin. När GaN-tekniken fortsätter att utvecklas kommer Infineon att fortsätta att driva marknadstillväxt och ytterligare stärka sin ledande position inom den globala halvledarindustrin.**