Silicon Carbide Wafer Båt

Vid halvledartillverkning innebär oxidation att wafern placeras i en högtemperaturmiljö där syre strömmar över waferns yta för att bilda ett oxidskikt. Detta skyddar skivan från kemiska föroreningar, förhindrar läckström från att komma in i kretsen, förhindrar diffusion under jonimplantation och förhindrar skivans glidning under etsning, vilket bildar en skyddande film på skivans yta. Utrustningen som används i detta steg är en oxidationsugn. Huvudkomponenterna i reaktionskammaren inkluderar en waferbåt, bas, ugnsfoderrör, inre ugnsrör och värmeisolerande bafflar. På grund av den höga driftstemperaturen är prestandakraven för komponenterna i reaktionskammaren också höga.

Dewafer båtanvänds som bärare för wafertransport och bearbetning. Det bör ha fördelar som hög integration, hög tillförlitlighet, antistatiska egenskaper, hög temperaturbeständighet, slitstyrka, motståndskraft mot deformation, god stabilitet och lång livslängd. Eftersom waferoxidationstemperaturen är ungefär mellan 800℃ och 1300℃, och kraven på innehållet av metalliska föroreningar i miljön är extremt stränga, måste nyckelkomponenter som waferbåten inte bara ha utmärkta termiska, mekaniska och kemiska egenskaper, utan också ha extremt lågt innehåll av metalliska föroreningar. Baserat på substratet kan de delas upp i båtar av kvartsskivor, keramiska skivor av kiselkarbid etc. Men med framsteg av processnoder under 7nm och expansionen av högtemperaturprocessfönster, blir traditionella kvartsbåtar gradvis otillräckliga när det gäller termisk stabilitet, partikelkontroll och livslängdshantering. Kiselkarbid (SiC) båtar ersätter gradvis traditionella kvartslösningar.

1. Halvledartillverkning

I högtemperaturprocesser för chiptillverkning, såsom oxidation, diffusion, kemisk ångavsättning (CVD) och jonimplantation, används SiC-båtar för att stödja kiselskivor, vilket säkerställer att skivorna förblir plana vid höga temperaturer och förhindrar gallerfel eller deformation orsakad av termisk spänning och garanterar därmed spånprecision.

2. Solcellsindustrin

Kiselkarbidkeramik har utmärkt mekanisk hållfasthet, termisk stabilitet, högtemperaturbeständighet, oxidationsbeständighet, termisk chockbeständighet och kemisk korrosionsbeständighet, och används ofta inom populära områden som metallurgi, maskiner, ny energi och kemikalier i byggmaterial. Dess prestanda är också tillräcklig för termiska processer inom solcellstillverkning, såsom diffusion, LPCVD (lågtryckskemisk ångdeposition) och PECVD (plasmakemisk ångdeposition) för TOPcon-celler. Jämfört med traditionella kvartsmaterial erbjuder kiselkarbidkeramiska material som används för att tillverka båtstöd, små båtar och rörformiga produkter högre hållfasthet, bättre termisk stabilitet och ingen deformation under höga temperaturer. Deras livslängd är också mer än fem gånger så lång som kvarts, vilket avsevärt minskar driftskostnaderna och energiförlusterna på grund av driftstopp. Detta resulterar i en klar kostnadsfördel och råvarorna är allmänt tillgängliga.

3. Tredje generationens halvledarindustri

I reaktionskammare för metall-organisk kemisk ångavsättning (MOCVD) används kiselkarbidbåtar för att stödja safirsubstrat, motstå frätande gasmiljöer såsom ammoniak (NH3), stödja den epitaxiella tillväxten av tredje generationens halvledarmaterial såsom galliumluminitrid (GaN) och förbättra prestanda hos LED-chips. I enkristalltillväxt av kiselkarbid fungerar kiselkarbidbåtar som frökristallstöd i enkristalltillväxtugnar av kiselkarbid, som motstår den korrosiva högtemperaturmiljön hos smält kisel, vilket ger stabilt stöd för tillväxten av enkristaller av kiselkarbid, och främjar framställningen av enkla kiselkarbider av hög kvalitet.

Semicorex levererar SiC-keramik av hög kvalitetwaferbåtar. Våra produkter är konstruerade för att leverera överlägsen termisk stabilitet, förlängd livslängd och exceptionell processkonsistens. För skräddarsydda lösningar eller ytterligare teknisk information, kontakta gärna vårt ingenjörsteam.

Telefon: +86-13567891907

E-post: sales@semicorex.com