> Nyheter

Nyheter

Att uppnå högkvalitativ SiC-kristalltillväxt genom temperaturgradientkontroll i den inledande tillväxtfasen

Kiselkarbid (SiC) är ett halvledarmaterial med breda bandgap som har fått stor uppmärksamhet de senaste åren på grund av dess exceptionella prestanda i högspännings- och högtemperaturapplikationer. Denna studie undersöker systematiskt de olika egenskaperna hos SiC-kristaller som odlas med modifierad......

Läs mer

Vad är termisk glödgning

Glödgningsprocessen, även känd som termisk glödgning, är ett avgörande steg i halvledartillverkning.

Läs mer

Studien om reaktionssintrad SiC-keramik och deras egenskaper

Kiselkarbid (SiC) är en förening som bildas av kovalenta bindningar mellan kisel och kolatomer, känd för sin utmärkta slitstyrka, värmechockbeständighet, korrosionsbeständighet och höga värmeledningsförmåga.

Läs mer

Varför använda ultraljudsrengöring i halvledartillverkning

Vid rengöring av wafers används vanligtvis ultraljudsrengöring och megaljudsrengöring för att avlägsna partiklar från waferns yta.

Läs mer

Hur appliceras kiselkarbidkeramik och vad är dess framtid när det gäller slitage och hög temperaturbeständighet?

Kiselkarbid (SiC) keramik, känd för sin höga hållfasthet, hårdhet, slitstyrka, korrosionsbeständighet och hög temperaturstabilitet, har visat enorm potential och värde inom många industrisektorer sedan de introducerades.

Läs mer

Studien om fördelningen av elektrisk resistivitet i n-Type 4H-SiC-kristaller

4H-SiC, som tredje generationens halvledarmaterial, är känt för sitt breda bandgap, höga värmeledningsförmåga och utmärkta kemiska och termiska stabilitet, vilket gör det mycket värdefullt i högeffekts- och högfrekvensapplikationer.

Läs mer

<...28 29 30 31 32...57 >