Vad är SiC epitaxi?

Silicon Carbide (SiC) epitaxi är en nyckelteknologi inom halvledarområdet, särskilt för utvecklingen av elektroniska enheter med hög effekt. SiC är en sammansatt halvledare med ett brett bandgap, vilket gör den idealisk för applikationer som kräver drift med hög temperatur och hög spänning.

SiC-epitaxi är en process för att odla ett tunt lager av kristallint material på ett substrat, typiskt kisel, med kemisk ångavsättning (CVD) eller molekylär strålepitaxi (MBE) tekniker. Det epitaxiella lagret har samma kristallstruktur och orientering som substratet, vilket möjliggör bildandet av ett högkvalitativt gränssnitt mellan de två materialen.

SiC epitaxi har använts i stor utsträckning i utvecklingen av kraftelektronik, inklusive kraftenheter som dioder, transistorer och tyristorer. Dessa enheter används i ett brett spektrum av tillämpningar, såsom elfordon, förnybara energisystem och strömförsörjning.

Under de senaste åren har det funnits ett växande intresse för utvecklingen av SiC-epitaxi för tillverkning av högeffektsenheter för applikationer som elfordon och förnybara energisystem. Efterfrågan på dessa enheter förväntas växa snabbt under de kommande åren, drivet av behovet av mer effektiva och hållbara energisystem.

Som svar på denna efterfrågan investerar forskare och företag i utvecklingen av SiC-epitaxteknologi, med fokus på att förbättra kvaliteten och minska kostnaderna för processen. Till exempel utvecklar vissa företag SiC-epitaxi på större substrat för att minska kostnaden per wafer, medan andra undersöker nya tekniker för att minska tätheten av defekter.

SiC epitaxi används också i utvecklingen av avancerade sensorer för en rad applikationer, inklusive gasavkänning, temperaturavkänning och tryckavkänning. SiC har unika egenskaper som gör den idealisk för dessa applikationer, såsom stabilitet vid höga temperaturer och motståndskraft mot tuffa miljöer.