Hem > Nyheter > industri nyheter

Vad är epitaxial waferprocess?

2023-04-06

Epitaxial waferprocess är en kritisk teknik som används vid tillverkning av halvledarprodukter. Det involverar tillväxt av ett tunt lager av kristallmaterial ovanpå ett substrat, som har samma kristallstruktur och orientering som substratet. Denna process skapar ett högkvalitativt gränssnitt mellan de två materialen, vilket möjliggör utveckling av avancerade elektroniska enheter.

Den epitaxiella waferprocessen används vid tillverkning av olika halvledarenheter, inklusive dioder, transistorer och integrerade kretsar. Processen utförs vanligtvis med kemisk ångavsättning (CVD) eller molekylär strålepitaxi (MBE) tekniker. Dessa tekniker involverar avsättning av materialatomer på substratytan, där de bildar ett kristallint skikt.


Den epitaxiella waferprocessen är en komplex och exakt teknik som kräver strikt kontroll över olika parametrar som temperatur, tryck och gasflöde. Tillväxten av epitaxialskiktet måste kontrolleras noggrant för att säkerställa bildandet av en högkvalitativ kristallstruktur med låg defektdensitet.


Kvaliteten på den epitaxiella waferprocessen är avgörande för prestandan hos den resulterande halvledaranordningen. Det epitaxiella lagret måste ha en enhetlig tjocklek, låg defektdensitet och en hög renhetsnivå för att säkerställa optimala elektroniska egenskaper. Tjockleken och dopningsnivån på det epitaxiella lagret kan regleras exakt för att uppnå de önskade egenskaperna, såsom konduktivitet och bandgap.


Under de senaste åren har den epitaxiella waferprocessen blivit allt viktigare vid produktion av högpresterande halvledaranordningar, särskilt inom kraftelektronikområdet. Efterfrågan på högpresterande enheter med förbättrad effektivitet och tillförlitlighet har drivit utvecklingen av avancerade epitaxiella waferprocesser.


Den epitaxiella waferprocessen används också i utvecklingen av avancerade sensorer, inklusive temperatursensorer, gassensorer och trycksensorer. Dessa sensorer kräver högkvalitativa kristallina skikt med specifika elektroniska egenskaper, vilket kan uppnås genom den epitaxiella waferprocessen.






We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept