Syntesmetod för kiselpulver med hög renhet (SIC)

För närvarande syntesmetoderna förSiC-pulverFör att odla enstaka kristaller inkluderar huvudsakligen: CVD-metod och förbättrad självförökande syntesmetod (även känd som högtemperatursyntesmetod eller förbränningsmetod). Bland dem inkluderar SI -källan till CVD -metoden för att syntetisera SiC -pulver i allmänhet kisel- och kiseltetraklorid, etc., och C -källan använder i allmänhet koltetraklorid, metan, eten, acetylen och propan, etc. medan dimetyldiklorosilan och tetrametylsilan kan ge Si -källa och C -källa och C -källa till samma tid.

Den tidigare självförökande syntesmetoden är en metod för att syntetisera material genom att antända reaktanten tomt med en yttre värmekälla och sedan använda den kemiska reaktionsvärmen i själva ämnet för att göra den efterföljande kemiska reaktionsprocessen fortsätter spontant. Det mesta av denna metod använder kiselpulver och kolsvart som råvaror och lägger till andra aktivatorer för att direkt reagera med en betydande hastighet vid 1000-1150 ℃ för att generera SiC-pulver. Införandet av aktivatorer kommer oundvikligen att påverka renheten och kvaliteten på de syntetiserade produkterna. Därför har många forskare föreslagit en förbättrad självförökande syntesmetod på denna grund. Förbättringen är främst för att undvika införandet av aktivatorer och för att säkerställa att syntesreaktionen utförs kontinuerligt och effektivt genom att öka syntestemperaturen och kontinuerligt tillhandahålla uppvärmning.

När temperaturen på kiselkarbidsyntesreaktionen ökar kommer färgen på det syntetiserade pulvret gradvis att mörkna. Det möjliga skälet är att för hög temperatur kommer att få Sic att sönderdelas, och mörkningen av färgen kan orsakas av förångning av för mycket Si i pulvret.

Dessutom, när syntestemperaturen är 1920 ℃, är den syntetiserade p-SiC-kristallformen relativt bra. Men när syntestemperaturen är större än 2000 ℃, ökar andelen C i den syntetiserade produkten signifikant, vilket indikerar att den fysiska fasen för den syntetiserade produkten påverkas av syntestemperaturen.

Experimentet fann också att när syntestemperaturen ökar inom ett visst temperaturområde ökar också partikelstorleken för det syntetiserade SIC -pulvret. Men när syntestemperaturen fortsätter att stiga och överskrider ett visst temperaturområde kommer partikelstorleken för det syntetiserade SIC -pulvret gradvis att minska. När syntestemperaturen är högre än 2000 ℃ kommer partikelstorleken för det syntetiserade SiC -pulvret att tendera till ett konstant värde.

Semicorex -erbjudandenhögkvalitativ kiselkarbidpulverinom halvledarindustrin. Om du har några förfrågningar eller behöver ytterligare information, tveka inte att komma i kontakt med oss.

Kontakta telefon # +86-13567891907

E -post: sales@semicorex.com