GaN industriapplikationer

Användningsområdena för SiC-baserad och Si-baserad GaN är inte strikt åtskilda.In GaN-On-SiC-enheter är kostnaden för SiC-substrat relativt hög, och med den växande mognad av SiC-långkristallteknologi förväntas kostnaden för enheten sjunka ytterligare, och den används i kraftenheter inom kraftelektronikområdet.

GaN på RF-marknaden

För närvarande finns det tre huvudprocesser på RF-marknaden: GaAs-processen, den Si-baserade LDMOS-processen (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) och GaN-processen. Nackdelarna med GaAs-enheter och LDMOS-enheter är Det finns en gräns för driftsfrekvensen, med den maximala effektiva frekvensen under 3 GHz.

GaN överbryggar gapet mellan GaAs och Si-baserade LDMOS-teknologier, och kombinerar kraftbearbetningsförmågan hos Si-baserade LDMOS med högfrekventa prestanda hos GaAs. GaAs används huvudsakligen i små basstationer, och med minskningen av GaN-kostnaden förväntas GaN ockupera en del av PA-marknaden för små basstationer på grund av dess egenskaper med hög effekt, hög frekvens och hög effektivitet, vilket bildar ett mönster som gemensamt domineras av GaAs PA och GaN.

GaN i kraftenhetsapplikationer

DUe till strukturen innehåller kan realisera höghastighetsprestanda för heterojunction tvådimensionell elektrongas, GaN-enheter jämfört med SiC-enheter har en högre driftsfrekvens, i kombination med kan motstå spänningen är lägre än SiC-enheten, så GaN kraftelektroniska enheter är mer lämpade för högfrekventa, små volymer, kostnadskänsliga, låga strömkrav för konsumenter strömförsörjning, t.ex. laddningsanordningar etc.

För närvarande är snabbladdning GaNs huvudsakliga slagfält. Fordonsområdet är ett av nyckelapplikationsscenarierna för GaN-kraftenheter, som kan användas i DC/DC-omvandlare för fordon, DC/AC-växelriktare, AC/DC-likriktare och OBC:er (inbyggda laddare). Detta minskar inte bara strömförlusten och sparar energi, utan miniatyriserar och gör systemet också lättare, vilket effektivt minskar storleken och vikten på kraftelektroniska enheter.