Betydelsen av porösa grafitmaterial för SiC-kristalltillväxt

Semicorex SiC-kristalltillväxtugnskomponent, denporös grafitfat, kommer att medföra tre stora fördelar och kan effektivt stärka konkurrenskraften för inhemskaSiC-substrat:

• Minska kostnaderna för kiselkarbidkristalltillväxtkomponenter;
• Öka tjockleken på SiC-kristall och minska den totala kostnaden för substratet;
• Förbättra SiC-kristallutbytet och förbättra företagens konkurrenskraft.

Att lägga till porösa grafitskivor till SiC-kristalltillväxtugnar är en av de heta punkterna i branschen. Det har bevisats att genom att infoga enporös grafitark ovanför SiC-källpulvret, uppnås god massöverföring i kristallområdet, vilket kan förbättra olika tekniska problem som finns i traditionella kristalltillväxtugnar.

(a) Traditionell kristalltillväxtugn, (b) Kristalltillväxtugn med porös grafitskiva

Källa: Dongui University, Sydkorea

Experiment har visat att när man använder traditionella kristalltillväxtugnar har SiC-substrat vanligtvis olikapolymorfersåsom 6H och 15R-SiC, medanSiC-substratberedda med användning av porösa grafitbaserade kristalltillväxtugnar endast har4H-SiC monokristall. Dessutom är mikrorörstätheten (MPD) och etsgropdensiteten (EPD) också signifikant reducerad. MPD för de två kristalltillväxtugnarna är 6-7EA/cm2 respektive 1-2EA/cm2, vilket kan varaminskat med upp till 6 gånger.

Semicorex har också lanserat en ny "engångs massöverföring"-process baserad påporösa grafitark. Porös grafit har mycket brareningsförmåga. Den nya processen använder ett nytt termiskt fält för primär massöverföring, vilket gör massöverföringseffektiviteten förbättrad och i princip konstant, och därigenom minskar effekten av omkristallisation (undviker sekundär massöverföring), vilket effektivt minskar risken för mikrotubuli eller andra associerade kristalldefekter. Dessutom är porös grafit också en av kärnteknologierna för att lösa problemet med SiC-kristalltillväxt och -tjocklek, eftersom det kan balansera gasfaskomponenterna, isolera spårföroreningar, justera lokal temperatur och minska fysiska partiklar som kolinpackning. Under förutsättningen att kristallen kan användas,tjockleken av kristallkan minskas. kan öka betydligt.

Tekniska egenskaper hosSemicorex porös grafit:

Porositeten kan nå upp till 65 %;

Porerna är jämnt fördelade;

Hög batchstabilitet;

Hög hållfasthet, kan nå ≤1 mm ultratunn cylindrisk form.

Semicorex erbjuder hög kvalitetporös grafitdelar. Om du har några frågor eller behöver ytterligare information, tveka inte att kontakta oss.

Kontakta telefonnummer +86-13567891907

E-post: sales@semicorex.com