- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nyheter
Kiselkarbid(SiC) Kristalltillväxtugn
Kristalltillväxt är kärnlänken i produktionen av kiselkarbidsubstrat, och kärnutrustningen är kristalltillväxtugnen. I likhet med traditionella kristalltillväxtugnar av kiselkvalitet är ugnsstrukturen inte särskilt komplex och består huvudsakligen av en ugnskropp, ett värmesystem, en spolöverförings......
Läs mer
Applikations- och utvecklingsutmaningar för TaC-belagda grafitkomponenter
Den tredje generationens halvledarmaterial med breda bandgap, såsom galliumnitrid (GaN) och kiselkarbid (SiC), är kända för sina exceptionella optoelektroniska omvandlings- och mikrovågssignalöverföringsförmåga. Dessa material uppfyller de höga kraven på elektroniska enheter med hög frekvens, hög te......
Läs mer
Kiselkarbidapplikationer
Kiselkarbid har ett stort antal tillämpningar inom framväxande industrier och traditionella industrier. För närvarande har den globala halvledarmarknaden överstigit 100 miljarder yuan. Det förväntas att 2025 kommer den globala försäljningen av halvledartillverkningsmaterial att nå 39,5 miljarder US-......
Läs mer
Vad är en SiC-båt, och vilka är dess olika tillverkningsprocesser?
En SiC-båt, förkortning för kiselkarbidbåt, är ett högtemperaturbeständigt tillbehör som används i ugnsrör för att bära wafers under högtemperaturbearbetning. På grund av de enastående egenskaperna hos kiselkarbid såsom motståndskraft mot höga temperaturer, kemisk korrosion och utmärkt termisk stabi......
Läs mer
Introduktion till kiselkarbidjonimplantation och glödgningsprocessen
I traditionell tillverkning av kiselkraftenheter står högtemperaturdiffusion och jonimplantation som de primära metoderna för dopningskontroll, var och en med sina fördelar och nackdelar. Normalt kännetecknas högtemperaturdiffusion av dess enkelhet, kostnadseffektivitet, isotropa dopämnesfördelnings......
Läs mer
