> Nyheter

Nyheter

Metoder för AlN Crystal Growth

AlN, som tredje generationens halvledarmaterial, är inte bara ett viktigt material för blått ljus och ultraviolett ljus, utan också ett viktigt förpacknings-, dielektrisk isolerings- och isoleringsmaterial för elektroniska enheter och integrerade kretsar, särskilt lämpligt för högtemperatur- och hög......

Läs mer

TaC-beläggningsdegel för AlN-kristalltillväxt

Den tredje generationen av halvledarmaterial AlN tillhör den direkta bandgap-halvledaren, dess bandbredd på 6,2 eV, med hög värmeledningsförmåga, resistivitet, nedbrytningsfältstyrka, samt utmärkt kemisk och termisk stabilitet, är inte bara ett viktigt blått ljus, ultraviolett material , eller elekt......

Läs mer

LPE-utrustning

Inom tillverkning av halvledarenheter är den exakta kontrollen av kristalltillväxt avgörande för att uppnå högkvalitativa och pålitliga enheter. En teknik som har spelat en avgörande roll i denna domän är Liquid-Phase Epitaxy (LPE).

Läs mer

Tantalkarbidbeläggningar i halvledarindustrin

Utvecklingen av kraftfulla blå och UV-lysdioder har möjliggjort skapandet av LED-TV-skärmar i fullfärg, såväl som vit LED-belysning för fordon och hushåll. Dessa lysdioder är baserade på galliumnitrid, som avsätts på substratskivor som stöds av CVD SiC-belagd grafitsusceptor med hjälp av MOCVD-proce......

Läs mer

Vad är porös grafit?

Porös grafit, även känd som poröst kol eller poröst grafitmaterial, är en grafitform som har konstruerats speciellt för att ha ett sammankopplat nätverk av porer eller hålrum i sin struktur.

Läs mer

Hur man tillverkar grafitstänger?

Formpressning, isostatisk pressning och stavextrudering är de tre vanligaste metoderna för att tillverka grafitstavar, liknande de som används för att skapa grafitrör.

Läs mer

<...21 22 23 24 25...30 >