2" galliumoxidsubstrat

Semicorex 2" galliumoxidsubstrat representerar ett nytt kapitel i historien om fjärde generationens halvledare, med en accelererande takt av massproduktion och kommersialisering. Dessa substrat uppvisar exceptionella fördelar för olika avancerade tekniska tillämpningar. Galliumoxidsubstrat symboliserar inte bara ett betydande framsteg inom halvledarteknologi men öppnar också nya vägar för att förbättra enhetens effektivitet och prestanda inom ett spektrum av höginsatsindustrier. Vi på Semicorex är dedikerade till att tillverka och leverera högpresterande 2" galliumoxidsubstrat som förenar kvalitet med kostnadseffektivitet.**

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Ultraviolett ljusdetektion och kraftutrustning: Semicorex 2" Gallium Oxide Substrates breda bandgap på cirka 4,8-4,9 eV gör att de kan utmärka sig i applikationer som ultraviolett ljusdetektorer och kraftutrustning, där det uppvisar överlägsen prestanda när det gäller att hantera högspännings- och effektförhållanden effektivt .

Högtemperaturdrift: 2-tums galliumoxidsubstratens utmärkta högtemperaturstabilitet gör att de kan arbeta i miljöer upp till 1200 grader Celsius. Denna funktion gör det mycket lämpligt för tillämpningar med hög temperatur, hög effekt och hög frekvens. , som överträffar många andra halvledarmaterial.

Högt nedbrytningsfält: Den höga nedbrytningsfältstyrkan hos 2" galliumoxidsubstraten gör dem till en utmärkt kandidat för högspänningstillämpningar, vilket avsevärt förbättrar tillförlitligheten och livslängden hos enheter som strömomvandlare och växelriktare.

Kemisk beständighet: Den höga kemiska stabiliteten hos 2" galliumoxidsubstraten under standardtemperatur- och tryckförhållanden säkerställer motståndskraft mot många syror och baser, vilket förbättrar dess hållbarhet och livslängd i tuffa kemiska miljöer.

Den unika kombinationen av dessa egenskaper positionerar Semicorex 2" Gallium Oxide Substrat som ett mångsidigt material inom områdena kraftelektronik, optoelektronik, fotokatalys och gasavkänning. Dess omfattande användningspotential beror på dess förmåga att prestera tillförlitligt under utmanande förhållanden, vilket pressar gränser för nuvarande halvledarkapacitet.