Aluminiumnitridunderlag

Definitioner av semicorex aluminiumnitridunderlag pekar på kiselbaserade aluminiumnitridmallar. När ERA för 5G utvecklas får högfrekventa applikationer snabbt fart. Expansion och utveckling av 5G -nätverk driver krav på fler och mer frekvensband tillsammans med högre driftsfrekvenser. Vågen har på sin sida ökat kraven i både kvantitet och kvalitet på RF -filter. För att möjliggöra högpresterande RF-filtertillverkningsindustrin är ett viktigt krav för piezoelektriska underlagsmaterial som har bevisat hög kvalitet.

Ultrabrett bandgap halvledar aluminiumnitridunderlag är ett material med enorm applikationspotential på grund av många enastående egenskaper, som ett potentiellt material för avancerad användning i elektronik och optoelektronik. Bandgapet på upp till 6,2 eV visar styrka kravet för hög fältavdelning, elektrondrifthastighet med hög mättnad, kemisk och termisk stabilitet. liksom överlägsen värmeledningsförmåga och strålningsmotstånd. Dessa egenskaper gör ALN till ett oundgängligt material i högpresterande elektroniska enheter, särskilt i 5G-kommunikationsteknologier.

Jämfört med traditionella piezoelektriska material såsom zinkoxid (ZnO), uppvisar blyzirkonattitanat (PZT) och litiumtantalat/litium -niobat (LT/LN), aluminiumnitridunderlag, exceptionella egenskaper som gör dem mycket lämpliga för 5G -filter. Dessa egenskaper inkluderar hög elektrisk resistivitet, utmärkt värmeledningsförmåga, överlägsen stabilitet och en ultra-snabb akustisk vågutbredningshastighet. Specifikt når den longitudinella våghastigheten hos ALN cirka 11 000 m/s, medan den tvärgående våghastigheten är cirka 6 000 m/s. Dessa egenskaper placerar ALN som ett av de mest ideala piezoelektriska materialen för högpresterande ytakustisk våg (SAW), bulk akustisk våg (BAW) och filmbulk akustisk resonator (FBAR) RF-filter.

Aluminiumnitridunderlagen är främst designade för den piezoelektriska materialmarknaden i 5G RF-frontfilter. Kvaliteten och nyckelparametrarna för denna produkt har testats och verifierats av auktoritativa tredjepartsinstitutioner och bearbetningsutvärderingar på skidnivå. Dessa bedömningar har bekräftat att produkten uppfyller och till och med överskrider internationella standarder. Dessutom har tekniken som krävs för storskalig tillverkning redan fastställts, vilket säkerställer stabil massproduktion och utbud för att möta marknadskraven.

Distributionen av 5G -nätverk kräver användning av mycket effektiva och pålitliga RF -filter för att hantera det ökande antalet frekvensband. ALN-underlag spelar en kritisk roll i tillverkningen av SAW-, BAW- och FBAR-filter, som är väsentliga komponenter i RF-front-end-moduler. Dessa filter möjliggör exakt val av frekvens, signalförstärkning och interferensreduktion, vilket säkerställer smidig och höghastighetsdataöverföring i 5G-kommunikationsenheter som smartphones, basstationer och IoT-applikationer.

Dessutom är aluminiumnitridunderlag inte begränsade till RF -filter ensam. De har också lovande applikationer inom kraftelektronik, högfrekventa transistorer, optoelektroniska enheter och satellitkommunikation. Deras förmåga att motstå höga spänningar och arbeta under extrema förhållanden gör dem till ett attraktivt val för nästa generations elektroniska komponenter.