Etsningsring

Etsringen gjord av CVD SiC är en viktig komponent i halvledartillverkningsprocessen och erbjuder exceptionell prestanda i plasmaetsningsmiljöer. Med sin överlägsna hårdhet, kemikaliebeständighet, termiska stabilitet och höga renhet säkerställer CVD SiC att etsningsprocessen är exakt, effektiv och pålitlig. Genom att välja Semicorex CVD SiC Etsningsringar kan halvledartillverkare förbättra sin utrustnings livslängd, minska stilleståndstiden och förbättra den övergripande kvaliteten på sina produkter.*

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex Etsring är en kritisk komponent i halvledartillverkningsutrustning, speciellt i plasmaetsningssystem. Tillverkad av Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide (CVD SiC), erbjuder denna komponent överlägsen prestanda i mycket krävande plasmamiljöer, vilket gör den till ett oumbärligt val för precisionsetsningsprocesser inom halvledarindustrin.

Etsningsprocessen, ett grundläggande steg i att skapa halvledarenheter, kräver utrustning som tål hårda plasmamiljöer utan att försämras. Etsringen, placerad som en del av kammaren där plasma används för att etsa mönster på kiselskivor, spelar en avgörande roll i denna process.

Etsringen fungerar som en strukturell och skyddande barriär, vilket säkerställer att plasma innesluts och riktas exakt dit det behövs under etsningsprocessen. Med tanke på de extrema förhållandena i plasmakammare – som höga temperaturer, frätande gaser och abrasiv plasma – är det viktigt att etsringen är konstruerad av material som erbjuder exceptionell motståndskraft mot slitage och korrosion. Det är här CVD SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) bevisar sitt värde som ett toppval för tillverkning av etsringar.

CVD SiC är ett avancerat keramiskt material känt för sina enastående mekaniska, kemiska och termiska egenskaper. Dessa egenskaper gör det till ett idealiskt material för användning i halvledartillverkningsutrustning, särskilt i etsningsprocessen, där prestandakraven är höga.

Hög hårdhet och slitstyrka:

CVD SiC är ett av de hårdaste materialen som finns, näst efter diamant. Denna extrema hårdhet ger utmärkt slitstyrka, vilket gör att den kan motstå den hårda, nötande miljön med plasmaetsning. Etsringen, som utsätts för kontinuerlig bombardering av joner under processen, kan bibehålla sin strukturella integritet under längre perioder jämfört med andra material, vilket minskar frekvensen av utbyten.

Kemisk tröghet:

En av de primära problemen i etsningsprocessen är den frätande naturen hos plasmagaser, såsom fluor och klor. Dessa gaser kan orsaka betydande nedbrytning i material som inte är kemiskt resistenta. CVD SiC uppvisar emellertid exceptionell kemisk tröghet, särskilt i plasmamiljöer som innehåller frätande gaser, vilket förhindrar kontaminering av halvledarskivorna och säkerställer renheten i etsningsprocessen.

Termisk stabilitet:

Halvledaretsningsprocesser sker ofta vid förhöjda temperaturer, vilket kan orsaka termisk stress på material. CVD SiC har utmärkt termisk stabilitet och en låg termisk expansionskoefficient, vilket gör att den kan behålla sin form och strukturella integritet även vid höga temperaturer. Detta minimerar risken för termisk deformation, vilket säkerställer konsekvent etsningsprecision under hela tillverkningscykeln.

Hög renhet:

Renheten hos material som används i halvledartillverkning är av yttersta vikt, eftersom all kontaminering kan påverka prestanda och utbyte av halvledarenheter negativt. CVD SiC är ett högrent material, vilket minskar risken för att föroreningar införs i tillverkningsprocessen. Detta bidrar till högre utbyten och bättre övergripande kvalitet i halvledarproduktion.

Etsringen gjord av CVD SiC används främst i plasmaetsningssystem, som används för att etsa intrikata mönster på halvledarskivor. Dessa mönster är viktiga för att skapa de mikroskopiska kretsar och komponenter som finns i moderna halvledarenheter, inklusive processorer, minneschips och annan mikroelektronik.