MOCVD SiC-belagd grafitsusceptor

Semicorex MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor är en avancerad och specialiserad komponent som används i processen för metallorganisk kemisk ångavsättning, en avgörande teknik vid tillverkning av halvledare, optoelektroniska enheter och andra avancerade material. Denna susceptor spelar en avgörande roll för att underlätta tillväxten av tunna filmer och epitaxiella lager med precision och effektivitet.

MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor är tillverkad av högkvalitativ grafit, vald för sin termiska stabilitet och utmärkta värmeledningsförmåga. Grafitens inneboende egenskaper gör det till ett idealiskt material för att klara de krävande förhållandena i en MOCVD-reaktor. För att förbättra dess prestanda och förlänga dess livslängd är grafitsusceptorn noggrant belagd med ett lager av kiselkarbid (SiC).

MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor står som en nyckelkomponent i halvledartillverkningen, som förkroppsligar fusionen av banbrytande material och precisionsteknik. Dess hållbarhet, termiska effektivitet och skyddande egenskaper gör den till ett oumbärligt element i jakten på högkvalitativa, reproducerbara tunna filmer och epitaxiella lager som är avgörande för tillverkning av avancerade elektroniska och optoelektroniska enheter.