> Nyheter

Nyheter

SiGe in Chip Manufacturing: A Professional News Report

För att möta kraven på hög prestanda och låg strömförbrukning inom modern halvledarteknologi, har SiGe (Silicon Germanium) framstått som ett valbart kompositmaterial vid tillverkning av halvledarchips på grund av dess unika fysiska och elektriska egenskaper.

Läs mer

Enheten i halvledare: Ångström

Som en längdenhet är Angström (Å) allestädes närvarande vid tillverkning av integrerade kretsar. Från exakt kontroll av materialtjocklek till miniatyrisering och optimering av enhetsstorlek, är förståelsen och tillämpningen av ångströmskalan kärnan för att säkerställa den kontinuerliga utvecklingen ......

Läs mer

Syntetiserar kiselkarbidpulver med hög renhet

Högrent kiselkarbidpulver har exceptionellt breda bandgap-egenskaper, vilket gör det till ett idealiskt material för tillverkning av högfrekventa elektroniska enheter med hög effekt.

Läs mer

Nästan 840 miljoner dollar: Onsi förvärvar ett SiC-företag

Idag tillkännagav Onsem på sin officiella hemsida att man har nått en överenskommelse med Qorvo om att förvärva SiC JFET-teknologiverksamheten och Qorvos dotterbolag.

Läs mer

Vad är skillnaden mellan grafitisering och karbonisering

Sammanfattningsvis är både grafitisering och karbonisering industriella processer som involverar kol antingen som en reaktant eller en produkt. Karbonisering hänvisar till processen att omvandla organiskt material till kol, medan grafitisering innebär att omvandla kol till grafit. Därför klassificer......

Läs mer

Etsningsprocessparametrar

Etsning är ett kritiskt steg i chiptillverkning, som används för att skapa små kretsstrukturer på kiselskivor.

Läs mer

<...4 5 6 7 8...37 >