PBN Keramisk skiva

En av de viktigaste fördelarna med PBN Ceramic Disc är dess anmärkningsvärt höga renhet. Renheten hos de gasformiga materialen som används i syntesprocessen (BCl3 + NH3 -> BN + HCl) överstiger vida den för konventionella bornitridpulver. Följaktligen uppnår PBN Ceramic Disc en renhetsnivå på 99,99 %, med totala föroreningar som uppgår till mindre än 100 delar per miljon (ppm). Denna exceptionella renhet är avgörande vid halvledartillverkning, där även den minsta förorening kan leda till defekter i elektroniska komponenter. Genom att säkerställa en så hög renhet, minimerar PBN Ceramic Disc risken för kontaminering och förbättrar därmed tillförlitligheten och prestandan hos halvledarenheter.

CVD-processen som används vid tillverkningen av PBN Ceramic Disc ger den en nästan perfekt skiktad struktur. Denna unika struktur underlättar anisotrop värmeledningsförmåga, en egenskap som är mycket fördelaktig för komponenter som används i ugnar och vakuumsystem. Anisotrop värmeledningsförmåga gör att PBN Ceramic Disc effektivt hanterar värmefördelning, vilket säkerställer enhetlig temperaturkontroll över skivans yta. Denna förmåga är väsentlig i halvledartillverkningsprocesser som kräver exakt termisk hantering för att förhindra termiska gradienter som kan leda till komponentfel eller ineffektivitet.

När det gäller termisk motståndskraft utmärker sig PBN Ceramic Disc som ett exemplariskt material. Den tål temperaturer upp till 1800°C i vakuummiljöer och 2000°C i kväve, utan att uppvisa en smältpunkt. Denna extraordinära termiska stabilitet gör den till ett idealiskt val för ugnskomponenter och smältkärl, där extrema temperaturer är en rutinmässig del av driften. Möjligheten att upprätthålla strukturell integritet vid så höga temperaturer säkerställer livslängd och tillförlitlighet, vilket minskar behovet av frekventa byten och därmed sänker de totala driftskostnaderna.

Kemisk tröghet är ett annat kännetecken för PBN Ceramic Disc. Det är resistent mot reaktioner med ett brett spektrum av ämnen, inklusive syror, alkalier, organiska lösningsmedel, smälta metaller och grafit. Denna tröghet är särskilt fördelaktig vid halvledartillverkning, där exponering för reaktiva ämnen är vanlig. Genom att förbli icke-reaktiv undviker PBN Ceramic Disc oönskade kemiska interaktioner som kan äventyra integriteten och funktionaliteten hos halvledarkomponenter.

Tillämpningarna av PBN Ceramic Disc i halvledarindustrin är mångsidiga och effektiva. Dess egenskaper gör det till ett idealiskt material för användning i olika miljöer med hög temperatur och hög renhet. I epitaxiella tillväxtprocesser, till exempel, fungerar skivan som en avgörande komponent i avsättningssystem, där dess renhet och värmeledningsförmåga säkerställer produktionen av högkvalitativa halvledarskikt. Dessutom, vid tillverkningen av lysdioder och andra optoelektroniska enheter, ger PBN Ceramic Disc en stabil och pålitlig plattform som stöder de intrikata processer som krävs för att uppnå optimal enhetsprestanda.

Dessutom sträcker sig PBN Ceramic Disc:s roll till tillverkning av kraftelektroniska enheter. Dessa enheter arbetar ofta vid höga temperaturer och kräver material som kan bibehålla prestanda under sådana förhållanden. PBN Ceramic Disc:s utmärkta termiska och kemiska egenskaper gör den till ett lämpligt val för substrat och andra komponenter inom kraftelektroniksystem, vilket bidrar till dessa enheters effektivitet och hållbarhet.

Bornitridstrukturer