Porös grafitdegel

En porös grafitdegel spelar en avgörande roll i processen för kiselkarbid (SiC) enkristalltillväxt, ett avgörande steg i halvledartillverkning. Denna specialiserade degel är designad för att motstå extrema temperaturer och hårda kemiska miljöer, vilket gör den till en idealisk behållare för de höga temperaturreaktioner som är involverade i SiC-kristalltillväxt.

Degeln är vanligtvis gjord av högrent grafitmaterial, känt för sin utmärkta värmeledningsförmåga, kemiska tröghet och mekaniska styrka. Termen "porös" hänvisar till det avsiktliga skapandet av en permeabel struktur i grafiten, vilket möjliggör ett kontrollerat flöde av gaser och vätskor under kristalltillväxtprocessen.

SiC-enkristalltillväxtprocessen involverar sublimering av kisel- och kolkällamaterial i en högtemperaturugn. Den porösa grafitdegeln fungerar som en behållare för dessa källmaterial, vilket ger en stabil och kontrollerad miljö för kristalltillväxten. Dess porösa struktur möjliggör effektiv transport av prekursorgaser och underlättar avlägsnandet av biprodukter som genereras under tillväxtprocessen.

Degelns förmåga att bibehålla stabilitet och motstå extrema förhållanden är avgörande för att uppnå högkvalitativa SiC-enkristaller, som är en del av produktionen av halvledarenheter. Degelns porositet hjälper till att optimera gasflödet och värmefördelningen, vilket bidrar till en enhetlig tillväxt av stora och högkvalitativa SiC-kristaller.