SiC Epi-Wafer-receptor

Semicorex är en storskalig tillverkare och leverantör av kiselkarbidbelagd grafitsusceptor i Kina. Vi fokuserar på halvledarindustrier som kiselkarbidskikt och epitaxihalvledare. Vår SiC Epi-Wafer Susceptor har en bra prisfördel och täcker många av de europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex levererar SiC Epi-Wafer Susceptor belagd av MOCVD som används för att stödja wafers. Deras högren kiselkarbid (SiC) belagda grafitkonstruktion ger överlägsen värmebeständighet, jämn termisk enhetlighet för konsekvent epi-skikttjocklek och beständighet, och hållbar kemisk beständighet. Fin SiC-kristallbeläggning ger en ren, slät yta, kritisk för hantering eftersom orörda wafers kommer i kontakt med susceptorn på många punkter över hela sitt område.
Vår SiC Epi-Wafer Susceptor är designad för att uppnå det bästa laminära gasflödesmönstret, vilket säkerställer en jämn termisk profil. Detta hjälper till att förhindra kontaminering eller spridning av föroreningar, vilket säkerställer högkvalitativ epitaxiell tillväxt på waferchipset.
Kontakta oss idag för att lära dig mer om vår SiC Epi-Wafer Susceptor.

Parametrar för SiC Epi-Wafer Susceptor

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggning
SiC-CVD-egenskaper
Kristallstruktur	FCC β-fas
Densitet	g/cm³	3.21
Hårdhet	Vickers hårdhet	2500
Kornstorlek	μm	2~10
Kemisk renhet	%	99.99995
Värmekapacitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Felexural styrka	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt böj, 1300 ℃)	430
Termisk expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Värmeledningsförmåga	(W/mK)	300

Funktioner hos SiC Epi-Wafer Susceptor

SiC-belagd grafit med hög renhet
Överlägsen värmebeständighet och termisk enhetlighet
Fin SiC-kristallbelagd för en slät yta
Hög hållbarhet mot kemisk rengöring
Materialet är utformat så att sprickor och delaminering inte uppstår.