SiC Focus Ring

Semicorex SiC Focus Ring är en precisionskonstruerad ringformad komponent, tillverkad av kiselkarbid med hög renhet. SiC Focus Ring är designad för avancerade halvledarbehandlingstillämpningar. Kiselkarbid med hög renhet ger utmärkt prestanda när det gäller termisk stabilitet (hög smältpunkt), mekanisk hållbarhet (hög hårdhet) och elektriska ledningsegenskaper, vilket är avgörande för att matcha specifikationerna för många nästa generations wafertillverkningsteknologier. SiC Focus Ring är komponenter som finns i plasmaetsnings- och deponeringskammarkomponenter och spelar en viktig roll för att kontrollera plasmafördelningen, uppnå wafer-likformighet och utbyte i massproduktion.

Materialrenheten och elektriska prestanda hos SiC Focus Ring är några av de mest kritiska faktorerna som definierar denna komponent och skiljer den från keramiska material. Hög renhetkiselkarbidär till skillnad från traditionella keramiska material, eftersom det ger en kombination av 

hårdhet samt motståndskraft mot många kemikalier och unika elektriska egenskaper. Särskilt viktigare är att kiselkarbid med hög renhet kan konstrueras med hjälp av dopämnen och bearbetningsmetoder för att producera de mest lämpliga nivåerna av ledande eller förolämpande prestanda med den idealiska halvledande balansen för att interagera med plasman, vilket möjliggör stabil prestanda i högenergimiljöer där laddningsuppbyggnad och elektrisk obalans är mer benägna att orsaka processfel.

På grund av plasmans kanteffekt är densiteten högre i mitten och lägre vid kanterna. Fokusringen, genom sin ringformade form och materialegenskaperna hos CVD SiC, genererar ett specifikt elektriskt fält. Detta fält styr och begränsar de laddade partiklarna (joner och elektroner) i plasmat till skivans yta, särskilt vid kanten. Detta höjer effektivt plasmadensiteten vid kanten och för den närmare den i mitten. Detta förbättrar avsevärt etsningslikformigheten över skivan, minskar kantskador och ökar utbytet.

Mercury Manufacturing bearbetar SiC Focus Ring med hjälp av sofistikerade bearbetnings- och poleringsprocesser som uppnår snäva dimensionella toleranser och en jämn ytfinish. Dimensionsnoggrannheten hos dessa komponenter möjliggör kompatibilitet med de olika leverantörerna av halvledarutrustning för att säkerställa utbytbarhet mellan många plasmaetsning och deponeringssystem. Anpassade konstruktioner kan också utvecklas för att möta specifika processkrav inklusive ringtjocklek, inner- och ytterdiameter och nivåer av ytkonduktivitet.

Tillämpningar av SiC Focus Ring täcker ett brett spektrum av halvledartillverkning: DRAM, NAND-blixt, Logic-enheter och ny krafthalvledarteknologi. När enhetens geometrier krymper och fortsätter att avancera genom processnoder, blir behovet av mycket pålitliga stabila kammarkomponenter som SiC Focus Ring kritiskt. SiC Focus Ring ger exakt kontroll av plasman och förbättrar konsekvent waferkvaliteten, vilket främjar branschens ambitioner mot allt mindre, snabbare och effektivare elektroniska enheter. Semicorex SiC Focus Ring definierar skärningspunkten för materialvetenskap, precisionsteknik och halvledarprocessutveckling. SiC Focus Ring har utmärkt termisk stabilitet, överlägsen kemisk beständighet och nära specifik elektrisk ledningsförmåga. Dessa funktioner gör det till en kritisk komponent för att säkerställa tillförlitlighet och avkastning under processer.