Epitaxiell enkristall Si-platta

den epitaxiella enkristall-Si-plattan inkapslar toppen av förfining, hållbarhet och pålitlighet för applikationer som hänför sig till grafitepitaxi och wafermanipulation. Den kännetecknas av sin densitet, planhet och termiska hanteringsförmåga, vilket positionerar den som det optimala valet för rigorösa driftsförhållanden. Semicorex engagemang för marknadsledande kvalitet, kombinerat med konkurrenskraftiga skattemässiga överväganden, befäster vår iver att etablera partnerskap för att uppfylla dina krav på transport av halvledarskivor.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

En avgörande egenskap hos den epitaxiella enkristall-Si-plattan ligger i dess överlägsna densitet. Integreringen av ett grafitsubstrat med en kiselkarbidbeläggning ger en omfattande densitet som är skicklig på att skydda mot de rigorösa förhållanden som uppstår i högtemperatur- och korrosiva miljöer. Dessutom har den kiselkarbidbelagda susceptorn, skräddarsydd för syntesen av enkristaller, en exceptionellt jämn ytprofil – en avgörande faktor för en uthållig produktion av wafers av oklanderlig kvalitet.

Lika avgörande för vår produkts design är minskningen av termiska expansionsavvikelser mellan grafitkärnan och dess kiselkarbidbeläggning. En sådan innovation ökar limtåligheten markant och kringgår därmed fenomenen med sprickor och skiktning. I synk med detta uppvisar Epitaxial Single-crystal Si Plate förhöjd värmeledningsförmåga, parat med en berömvärt benägenhet för enhetlig värmeallokering - faktorer som är avgörande för att uppnå homogenitet i temperaturen under produktionscykeln.

Dessutom visar den epitaxiella enkristall-Si-plattan en berömvärd motståndskraft mot oxidativ och korrosiv nedbrytning vid förhöjda temperaturer, vilket underbygger dess livslängd och pålitlighet. Dess tröskel för termisk uthållighet understryks av en betydande smältpunkt, vilket säkerställer dess förmåga att uthärda den krävande termiska miljön som är inneboende för skicklig halvledartillverkning