Monokristallin kisel epitaxiell susceptor

Semicorex ultraren Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor, perfekt för grafitepitaxi och waferhanteringsprocesser, säkerställer minimal kontaminering och ger exceptionellt lång livslängd. Våra produkter har en bra prisfördel och täcker många av de europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor är en grafitprodukt belagd med högrenad SiC, som har hög värme- och korrosionsbeständighet. Den CVD-kiselkarbidbelagda bäraren som används i processer som bildar det epitaxiella skiktet på halvledarskivor, som har en hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper.
Vår monokristallina epitaxiella susceptor av kisel är designad för att uppnå det bästa laminära gasflödesmönstret, vilket säkerställer en jämn termisk profil. Detta hjälper till att förhindra kontaminering eller spridning av föroreningar, vilket säkerställer högkvalitativ epitaxiell tillväxt på waferchipset.
Kontakta oss idag för att lära dig mer om vår Monokristallina Silicon Epitaxial Susceptor.

Parametrar för monokristallin kisel epitaxiell susceptor

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggning
SiC-CVD-egenskaper
Kristallstruktur	FCC Î² fas
Densitet	g/cm³	3.21
Hårdhet	Vickers hårdhet	2500
Kornstorlek	Î¼m	2~10
Kemisk renhet	%	99.99995
Värmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Felexural styrka	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt böj, 1300â)	430
Termisk expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Värmeledningsförmåga	(W/mK)	300

Egenskaper hos monokristallin kisel epitaxiell susceptor

- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har god densitet och kan spela en bra skyddande roll i högtemperatur- och korrosiva arbetsmiljöer.
- Kiselkarbidbelagd susceptor som används för enkristalltillväxt har en mycket hög ytplanhet.
- Minska skillnaden i termisk expansionskoefficient mellan grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet, förbättra bindningsstyrkan effektivt för att förhindra sprickbildning och delaminering.
- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har en hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper.
- Hög smältpunkt, hög temperatur oxidationsbeständighet, korrosionsbeständighet.