LPE Halfmoon reaktionskammare

Den epitaxiella processen sker inom LPE Halfmoon Reaction Chamber, där substrat utsätts för extrema förhållanden som involverar höga temperaturer och korrosiva gaser. För att säkerställa livslängden och prestanda hos reaktionskammarkomponenterna appliceras SiC-beläggningar med kemisk ångdeposition (CVD):

Detaljerade applikationer:

Susceptorer och waferbärare:

Primär roll:

Susceptorer och waferbärare är kritiska komponenter som håller substraten säkert under den epitaxiella tillväxtprocessen i LPE Halfmoon Reaction Chamber. De spelar en avgörande roll för att säkerställa att substraten värms upp jämnt och exponeras för de reaktiva gaserna.

Fördelar med CVD SiC-beläggning:

Värmeledningsförmåga:

SiC-beläggningen förbättrar susceptorns värmeledningsförmåga, vilket säkerställer att värmen fördelas jämnt över skivans yta. Denna enhetlighet är väsentlig för att uppnå konsekvent epitaxiell tillväxt.

Korrosionsbeständighet:

SiC-beläggningen skyddar susceptorn från korrosiva gaser som väte och klorerade föreningar, som används i CVD-processen. Detta skydd förlänger susceptorns livslängd och upprätthåller integriteten hos den epitaxiella processen i LPE Halfmoon Reaction Chamber.

Reaktionskammarväggar:

Primär roll:

Reaktionskammarens väggar innehåller den reaktiva miljön och utsätts för höga temperaturer och korrosiva gaser under den epitaxiella tillväxtprocessen i LPE Halfmoon Reaction Chamber.

Fördelar med CVD SiC-beläggning:

Varaktighet:

SiC-beläggningen på LPE Halfmoon Reaction Chamber förbättrar avsevärt hållbarheten hos kammarväggarna, och skyddar dem från korrosion och fysiskt slitage. Denna hållbarhet minskar frekvensen av underhåll och utbyte, vilket sänker driftskostnaderna.

Förebyggande av kontaminering:

Genom att behålla kammarväggarnas integritet minimerar SiC-beläggningen risken för kontaminering från försämrade material, vilket säkerställer en ren processmiljö.

Viktiga fördelar:

Förbättrad avkastning:

Genom att bibehålla skivornas strukturella integritet stödjer LPE Halfmoon Reaction Chamber högre utbyte, vilket gör halvledartillverkningsprocessen mer effektiv och kostnadseffektiv.

Strukturell robusthet:

SiC-beläggningen av LPE Halfmoon Reaction Chamber förbättrar avsevärt den mekaniska styrkan hos grafitsubstratet, vilket gör waferbärarna mer robusta och kapabla att motstå de mekaniska påfrestningarna från upprepad termisk cykling.

Långt liv:

Den ökade mekaniska styrkan bidrar till den totala livslängden för LPE Halfmoon Reaction Chamber, vilket minskar behovet av frekventa byten och ytterligare sänker driftskostnaderna.

Förbättrad ytkvalitet:

SiC-beläggningen ger en slätare yta jämfört med bar grafit. Denna släta finish minimerar partikelgenereringen, vilket är avgörande för att upprätthålla en ren processmiljö.

Minskning av kontaminering:

En jämnare yta minskar risken för kontaminering på skivan, vilket säkerställer renheten hos halvledarskikten och förbättrar den övergripande kvaliteten på de slutliga enheterna.

Ren bearbetningsmiljö:

Semicorex LPE Halfmoon Reaction Chamber genererar betydligt färre partiklar än obelagd grafit, vilket är väsentligt för att upprätthålla en kontamineringsfri miljö vid halvledartillverkning.

Högre avkastning:

Minskad partikelkontamination leder till färre defekter och högre utbyte, vilket är kritiska faktorer i den mycket konkurrensutsatta halvledarindustrin.