Kiselkarbid (SiC) är ett halvledarmaterial med breda bandgap som har fått stor uppmärksamhet de senaste åren på grund av dess exceptionella prestanda i högspännings- och högtemperaturapplikationer. Denna studie undersöker systematiskt de olika egenskaperna hos SiC-kristaller som odlas med modifierad......
Läs mer4H-SiC, som tredje generationens halvledarmaterial, är känt för sitt breda bandgap, höga värmeledningsförmåga och utmärkta kemiska och termiska stabilitet, vilket gör det mycket värdefullt i högeffekts- och högfrekvensapplikationer.
Läs mer