Porös tantalkarbidkeramik

Semicorex porös tantalkarbidkeramik är ett keramiskt material med ultrahög temperatur med en smältpunkt runt 3880 ℃, som kan bibehålla stabil prestanda i utmanande högtemperatur- och högkorrosionsmiljöer tack vare följande utmärkta prestandaegenskaper.

1. Superb termisk egenskap

Den maximala arbetstemperaturen för Semicorex poröstantalkarbid keramikkan vara upp till 3200 ℃, och den kan fungera stabilt vid högtemperaturtillväxt av kiselkarbidkristaller under lång tid utan någon deformation eller uppmjukning.

2. Exceptionell kemisk stabilitet

Semicorex porös tantalkarbidkeramik uppvisar bättre korrosionsbeständighet och oxidationsbeständighet än konventionell keramik. Det kan effektivt motstå korrosion av högtemperatursyre och Si-ånga i kristalltillväxtprocessen.

3. Speciell porös struktur

Semicorex porös tantalkarbidkeramik har likformigt fördelade inre porer, med en porositet mellan 10-60 % (anpassningsbar) och en genomgående porhastighet på över 98 %. Denna speciella struktur gör det möjligt för ångfaselement som Si och C att flyta och diffundera smidigt inuti kristalltillväxtugnen, vilket i hög grad underlättar tillväxten av högkvalitativa kristaller.

Applicering i kiselkarbidkristalltillväxt

Under tillväxt av kiselkarbidkristaller via PVT-processen, fungerar Semicorex porös tantalkarbidkeram främst i ångfaselementfiltrering, ugnstemperaturgradientreglering och gasmaterialflödesledning. Till skillnad från konventionella porösa TaC-belagda grafitmaterial visar Semicorex porös tantalkarbidkeramik tydliga fördelar: Den eliminerar porösaTaC-belagd grafitmaterials nackdel med en låg genomgående porhastighet som orsakas av beläggningsbehandling, samtidigt som man undviker porösa TaC-belagda grafitmaterials smärtpunkt för beläggningsavskalning som uppstår under drift. Genom att använda Semicorex porös tantalkarbidkeramik kan du effektivt hämma kolinneslutningsdefekter i kiselkarbidkristalltillväxt, och därigenom avsevärt förbättra kristalltillväxtkvaliteten och produktutbytet.