SiC-belagd stödring

Semicorex SiC-belagd stödring spelar en avgörande roll för att säkerställa precisionen och kvaliteten hos epitaxiella skikt avsatta på halvledarskivor.

Den SiC-belagda stödringen ger ett robust skyddsskikt som tål extrema temperaturer och korrosiva miljöer som är typiska i epitaxiella tillväxtreaktorer. SiC:s överlägsna termiska egenskaper säkerställer enhetlig temperaturfördelning över skivans yta, vilket minimerar termiska gradienter och spänningar. Denna stabilitet är avgörande för att uppnå epitaxiella skikt av hög kvalitet med minimala defekter.

Den SiC-belagda stödringen motstår kemiska angrepp från reaktiva gaser som används i epitaxialprocessen, vilket förlänger stödringens livslängd och bibehåller processens integritet. Detta motstånd minskar föroreningsrisker, vilket bidrar till högre renhet och bättre prestanda hos halvledarenheterna.

SiC-belagd stödring bibehåller exakt waferpositionering, avgörande för enhetlig skiktavsättning. Den SiC-belagda stödringens strukturella integritet under höga temperaturer säkerställer konsekvent prestanda under flera bearbetningscykler.

Semicorex SiC Coated Support Ring är en central komponent för att utveckla halvledarteknologin, vilket säkerställer produktion av högkvalitativa enheter med optimal prestanda och tillförlitlighet.