Mottagarskiva

Semicorex Susceptor Disc är ett oumbärligt verktyg i Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), speciellt konstruerad för att stödja och värma halvledarskivor under den kritiska processen med epitaxiallageravsättning. Susceptor-skivan är avgörande vid tillverkningen av halvledarenheter, där exakt skikttillväxt är av största vikt. Semicorex engagemang för marknadsledande kvalitet, kombinerat med konkurrenskraftiga skattemässiga överväganden, befäster vår iver att etablera partnerskap för att uppfylla dina krav på transport av halvledarskivor.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Tillverkad av högren grafit och belagd med ett lager av kiselkarbid (SiC) med hjälp av MOCVD-tekniken, kombinerar Semicorex Susceptor Disc exceptionella termiska egenskaper med anmärkningsvärd kemisk stabilitet. Kiselkarbidbeläggningen säkerställer utmärkt motståndskraft mot höga temperaturer och korrosiva förhållanden, avgörande för att upprätthålla integriteten hos Susceptor Disc i utmanande miljöer.

Dessutom förbättrar SiC-beläggningen på Susceptor Disc dess värmeledningsförmåga, vilket möjliggör snabb och jämn värmefördelning som är avgörande för konsekvent epitaxiell tillväxt. Den absorberar och utstrålar värme effektivt, vilket ger en stabil, enhetlig temperatur som är nödvändig för avsättning av tunna filmer. Denna enhetlighet är avgörande för att uppnå epitaxiella skikt av hög kvalitet, som är grundläggande för funktionaliteten och prestandan hos avancerade halvledarenheter.

Utformningen av Susceptor Disc tar också upp utmaningen med termisk expansion. Dess minimala termiska expansionskoefficient säkerställer en stark bindning med de epitaxiella skikten, vilket minskar risken för sprickbildning på grund av termisk cykling. Denna funktion, tillsammans med Susceptor Disc:s höga smältpunkt och utmärkta oxidationsbeständighet, möjliggör tillförlitlig drift under extrema förhållanden.

Med dessa avancerade egenskaper uppfyller Susceptor Disc inte bara utan överträffar de stränga kraven för moderna MOCVD-applikationer, vilket ger en pålitlig, högpresterande lösning som förbättrar den övergripande effektiviteten och produktionen av den epitaxiella tillväxtprocessen.