Susceptor med rutnät

Semicorex Susceptor med Grid är en specialiserad komponent som används i den epitaxiella tillväxtprocessen av halvledarwafers. Denna kritiska utrustning är utformad för att bära och stödja skivorna under avsättningen av material i ett metall-organiskt kemiskt ångavsättningssystem (MOCVD). Susceptorn med rutnät spelar en avgörande roll för att säkerställa enhetlig och kontrollerad tillväxt av epitaxiella skikt på halvledarskivan.

Susceptorn med rutnät är konstruerad med material optimerade för sin funktion. I det här fallet är den gjord av MOCVD SiC (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) belagd grafit. Detta val av material ger flera fördelar, inklusive högtemperaturbeständighet, kemisk stabilitet och utmärkt värmeledningsförmåga. SiC-beläggningen på grafiten förbättrar susceptorns hållbarhet och motståndskraft mot de svåra förhållanden som uppstår under den epitaxiella tillväxtprocessen.

Susceptorn med rutnätsstruktur fungerar som en stödmekanism för halvledarskivorna. Den är strategiskt utformad för att hålla wafers säkert på plats samtidigt som det möjliggör ett effektivt flöde av gaser och enhetlig avsättning av material. Gallermönstret hjälper till att fördela värme och reaktanter jämnt över waferns yta, vilket bidrar till den exakta kontrollen av epitaxialskiktets tjocklek och sammansättning.

Semicorex Susceptor med Grid är en kritisk komponent i tillverkningsprocessen av avancerade halvledarenheter. Dess robusta konstruktion och specialiserade design gör den till ett viktigt verktyg för att uppnå epitaxiell tillväxt av hög kvalitet, vilket säkerställer produktion av halvledare med överlägsen prestanda och tillförlitlighet.