TaC Coating Piedestal Supporter

Semicorex TaC Coating Pedestal Supporter har en nyckelroll i mekaniskt stöd, men också för att kontrollera processflödet. Den är placerad under huvudsusceptorn eller waferbäraren när den används i reaktorn. Den låser den roterande enheten på plats, håller den termiska jämvikten i piedestalen och hanterar ett friskt gasflöde under waferzonen. TaC Coating Pedestal Supporter är gjord för båda funktionerna, inklusive en konstruktivt gjord grafitbas som är belagd med ett jämnt tätt lager av tantalkarbid (TaC) genom kemisk ångavsättning (CVD).

Tantalkarbid är ett av de mest eldfasta och kemiskt inerta materialen som finns, med en smältpunkt över 3800 °C och stor motståndskraft mot korrosion och erosion. När CVD används för att produceraTaC-beläggningarslutresultatet är en slät, tät beläggning som skyddar grafitsubstratet från högtemperaturoxidation, ammoniakkorrosion och metall-organisk prekursorreaktion. Under långvarig exponering för frätande gaser eller extrem termisk cykling i samband med epitaxiella processer, uthärdar sockelstödet och bibehåller strukturell och kemisk stabilitet.

CVD TaC-beläggningen utför flera kritiska funktioner och fungerar som en skyddande barriär, och hindrar eventuell kolkontamination från grafitbeläggningen och substratet från att komma in i reaktormiljön eller påverka skivan. För det andra ger det kemisk tröghet, vilket bibehåller en ren och stabil yta i både oxiderande och reducerande atmosfärer. Detta förhindrar oönskade reaktioner mellan processgaserna och reaktorns hårdvara, vilket säkerställer att gasfaskemin förblir kontrollerad och att filmens enhetlighet bevaras.

Betydelsen av piedestalstödet i gasflödeskontroll bör också noteras. En nyckelaspekt i processen för epitaxiell avsättning är att säkerställa enhetlighet hos processgaserna som strömmar över hela ytan av skivan för att uppnå konsekvent skikttillväxt. TaC Coating Piedestal Supporter är exakt bearbetad för att kontrollera gasflödeskanaler och geometrier, vilket kommer att hjälpa till att leda processgaser smidigt och jämnt in i reaktionszonen. Genom att kontrollera det laminära flödet minimeras turbulensen, döda zoner elimineras och en mer stabil gasmiljö uppstår. Allt detta bidrar till överlägsen filmtjocklekslikformighet och bättre epitaxiell kvalitet.

DeTaC-beläggningger hög värmeledningsförmåga och emissivitet, vilket också gör att sockelstödet kan leda och utstråla värme effektivt. Detta kommer också att leda till bättre total temperaturlikformighet på susceptorn och wafern med lägre temperaturgradienter som ger mindre variation i kristalltillväxt. Dessutom erbjuder TaC exceptionell oxidationsbeständighet, vilket säkerställer att emissiviteten förblir konsekvent under långvarig drift, vilket säkerställer noggrann temperaturkalibrering och repeterbar processprestanda.

TaC Coating Pedestal Supporter har hög mekanisk hållbarhet, vilket ger längre livslängd. CVD-beläggningsprocessen skapar specifikt en solid molekylär bindning mellan TaC-skiktet och grafitsubstratet för att förhindra delaminering, sprickbildning eller avskalning från termisk stress. Det är därför en komponent som drar nytta av hundratals högtemperaturcykler utan nedbrytning.