ICP Silicon Carbon Coated Grafit

Waferbärare som används i epitaxiell tillväxtbearbetning måste tåla höga temperaturer och hård kemisk rengöring. Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite-susceptorer är konstruerade speciellt för dessa krävande epitaxiutrustningstillämpningar. Vår produkt är konstruerad för att tåla höga temperaturer och hård kemisk rengöring, vilket säkerställer lång livslängd och optimala resultat.
Vår ICP Silicon Carbon Coated Graphite är designad för att uppnå det bästa laminära gasflödesmönstret, vilket säkerställer en jämn termisk profil. Detta hjälper till att förhindra kontaminering eller diffusion av föroreningar, vilket säkerställer högkvalitativ epitaxiell tillväxt på waferchipset.
Kontakta oss idag för att lära dig mer om vår ICP Silicon Carbon Coated Graphite.

Parametrar för ICP Silicon Carbon Coated Graphite

Funktioner hos ICP Silicon Carbon Coated Graphite

- Undvik att skala av och säkerställ beläggning på alla ytor

Oxidationsbeständighet vid hög temperatur: Stabil vid höga temperaturer upp till 1600°C

Hög renhet: tillverkad av CVD kemisk ångavsättning under högtemperaturkloreringsförhållanden.

Korrosionsbeständighet: hög hårdhet, tät yta och fina partiklar.

Korrosionsbeständighet: syra, alkali, salt och organiska reagenser.

- Uppnå det bästa laminära gasflödesmönstret

- Garanterar jämnhet av termisk profil

- Förhindra all kontaminering eller spridning av föroreningar