> Nyheter > industri nyheter

industri nyheter

Metod för GaN Crystal Growth

Vid produktion av stora GaN-enkristallsubstrat är HVPE för närvarande det bästa valet för kommersialisering. Den bakre bärarkoncentrationen av det odlade GaN kan emellertid inte kontrolleras exakt.

Läs mer

Halvledarteknologi har varit ryggraden i den moderna civilisationen, och har i grunden förändrat hur vi lever, arbetar och interagerar med världen. Det har möjliggjort oöverträffade framsteg inom olika områden, inklusive informationsteknik, energi, telekommunikation och hälsovård. Från mikroprocesso......

Läs mer

SiC-keramik: det oumbärliga materialet för högprecisionskomponenter i halvledartillverkning

Halvledartillverkning, hörnstenen i moderna tekniska framsteg, strävar ständigt efter mindre, snabbare och mer effektiva integrerade kretsar. Denna obevekliga strävan driver behovet av allt mer exakta och sofistikerade tillverkningsprocesser, där varje steg är starkt beroende av högpresterande, högk......

Läs mer

Vad är grafitiseringsgrad?

Graden av grafitisering är ett viktigt mått som används för att bedöma hur nära kolatomer är att bilda en tätt packad hexagonal grafitkristallstruktur.

Läs mer

Tillväxtprocess för tunnfilm

Vanliga tunna filmer är huvudsakligen indelade i tre kategorier: tunna halvledarfilmer, dielektriska tunna filmer och metall/metallsammansatta tunna filmer.

Läs mer

Heteroepitaxy of 3C-SiC: En översikt

Utvecklingen av 3C-SiC, en betydande polytyp av kiselkarbid, återspeglar den kontinuerliga utvecklingen av halvledarmaterialvetenskap. På 1980-talet, Nishino et al. uppnådde först en 4 μm tjock 3C-SiC-film på ett kiselsubstrat med kemisk ångavsättning (CVD)[1], vilket lade grunden för 3C-SiC-tunnfil......

Läs mer

<...13 14 15 16 17...32 >

industri nyheter

Metod för GaN Crystal Growth

GaN Single Crystal

SiC-keramik: det oumbärliga materialet för högprecisionskomponenter i halvledartillverkning

Vad är grafitiseringsgrad?

Tillväxtprocess för tunnfilm

Heteroepitaxy of 3C-SiC: En översikt