Och substrat

Semicorex Si Substrate är en kritisk komponent vid tillverkning av halvledarenheter, solceller och olika elektroniska komponenter. Silikons utmärkta halvledaregenskaper, tillsammans med dess termiska och mekaniska stabilitet, gör det till det mest använda substratmaterialet inom elektronik. Med applikationer som spänner över ett brett spektrum av teknologier – såsom integrerade kretsar (IC), solceller och kraftenheter – spelar Si-substratet en grundläggande roll för prestanda, effektivitet och tillförlitlighet hos halvledarenheter. Vårt Si-substrat är designat för att möta de stränga kraven för modern elektronik och för att ge en optimal bas för avancerade applikationer inom halvledarteknologi.

Funktioner och specifikationer

Material med hög renhet:Våra Si-substrat är tillverkade av högrent kisel, vilket säkerställer minimala föroreningar som kan påverka elektriska egenskaper. Detta material med hög renhet ger överlägsen värmeledningsförmåga och minimerar oönskade elektroniska störningar, vilket är avgörande i högpresterande applikationer.

Optimerad kristallorientering:Si-substratet finns i olika kristallriktningar, inklusive (100), (110) och (111), var och en lämpad för olika applikationer. Till exempel används (100)-orienteringen i stor utsträckning vid CMOS-tillverkning, medan (111) ofta föredras för högeffekttillämpningar. Detta val gör det möjligt för användare att skräddarsy substratet till specifika enhetskrav.

Ytkvalitet och planhet:Att uppnå en slät, defektfri yta är avgörande för optimal enhetsprestanda. Våra Si-substrat är exakt polerade och behandlade för att säkerställa låg ytjämnhet och hög planhet. Dessa attribut bidrar till effektiv epitaxiell skiktavsättning, vilket minimerar defekter i efterföljande skikt.

Termisk stabilitet:Silikons termiska egenskaper gör den lämplig för enheter som kräver pålitlig prestanda vid olika temperaturer. Vårt Si-substrat bibehåller stabilitet under högtemperaturprocesser, såsom oxidation och diffusion, vilket säkerställer att det kan motstå kraven från komplex halvledartillverkning.

Anpassningsalternativ:Vi erbjuder Si-substrat i en rad tjocklekar, diametrar och dopningsnivåer. Anpassningsalternativ gör att tillverkare kan optimera substratet för specifika elektriska egenskaper, såsom resistivitet och bärarkoncentration, som är avgörande för att ställa in prestanda hos elektroniska enheter.

Ansökningar

Integrerade kretsar (IC):Si-substratet är ett grundläggande material i IC-tillverkning, vilket ger en stabil och enhetlig grund för enheter som processorer, minneschips och sensorer. Dess utmärkta elektroniska egenskaper möjliggör exakt kontroll över enhetsparametrar, avgörande för tät packning av transistorer i moderna IC.

Strömenheter:Si-substrat används ofta i krafthalvledarenheter, såsom MOSFET och IGBT, där hög värmeledningsförmåga och mekanisk hållfasthet är väsentliga. Kraftenheter kräver substrat som tål höga spänningar och strömmar, och våra Si-substrat levererar exceptionell prestanda i dessa krävande miljöer.

Solceller:Kisel är det mest använda materialet i solcellsceller, på grund av dess effektivitet när det gäller att omvandla solljus till elektricitet. Våra Si-substrat ger den högrenhet, stabila bas som behövs för solcellstillämpningar, vilket möjliggör effektiv ljusabsorption och hög energiproduktion, vilket bidrar till produktionen av förnybar energi.

Mikroelektromekaniska system (MEMS):MEMS-enheter förlitar sig ofta på Si-substrat på grund av deras stabilitet, enkla mikrobearbetning och kompatibilitet med konventionella halvledarprocesser. Tillämpningar i sensorer, ställdon och mikrofluidiska enheter drar nytta av Si-substratets hållbarhet och precision.

Optoelektroniska enheter:För ljusemitterande dioder (LED) och laserdioder erbjuder Si Substrate en plattform som är kompatibel med en mängd olika tunnfilmsavsättningsprocesser. Dess termiska och elektriska egenskaper möjliggör tillförlitlig prestanda i optoelektroniska applikationer.