SIC -bärare för ICP

Konstruerad för att möta de kompromisslösa kraven från modern induktivt kopplad plasma (ICP) etsning och deponeringsverktyg, semicorexsic -belagda grafitbärare för ICP ger en sällsynt balans mellan plasmas elasticitet, termisk precision och mekanisk stabilitet. I sin kärna ligger ett äganderätt, småfat grafitunderlag vars kristallorientering är tätt kontrollerad för att producera extraordinärt anisotropiskt beteende: termisk konduktivitet i planen överträffar mycket hotspots. Denna riktningsvärmeflödeshantering säkerställer att varje dör över en 150 mm till 300 mm skivor upplever enhetlig temperaturrampning och jämviktsstatistiskt tillstånd, direkt översätter till smalare kritiska dimension (CD) -fördelningar och högre enhetsutbyten.

Förpackad runt denna ultra -pure grafit är en konform kisel -karbidskikt som är co -avdepositerad i en högtemperatur CVD -ugn. SIC -beläggningen - kemiskt inert upp till 2 000 ° C och har en mikro -porositet på mindre än 0,1% - bildar en ogenomtränglig sköld mot fluor, klor och bromradikaler som är vanliga i ICP -kemister med hög densitet. Långsäker uthållighetstest i CF₄/O₂, Cl₂/Bcl₃ och HBR/He -plasmas har visat erosionshastigheter under 0,3 umper100 timmar, vilket förlänger transportörens livslängd långt utöver branschnormerna och drastiskt minskat förebyggande underhållsstopp.

Dimensionell precision är lika kompromisslös: ytflathet styrs inom ± 5 um över hela fickan, medan kantuteslutningsfunktioner är laser -maskinerade för att skydda skivan perimeter från mikro -arcing. Tät tolerans, i kombination med SIC -beläggningens nästan diamant -hårdhet, motstår partikelproduktion under mekanisk kläm och elektrostatisk -chuckcykling, skyddande sub -10nm -nodprocesser från mördningsdefektföroreningar. För ICP -reaktorer med hög kraft främjar bärarens låga elektriska resistivitet (<40 Ω · m) snabb stabilisering av RF -markplan, vilket minimerar fluktuationer av mantelspänning som annars kan erodera fotoresistprofiler eller inducera mikromaskning.

Varje parti av Semicorex -bärare genomgår omfattande metrologi - Raman -mappning för att verifiera grafitkristallografisk inriktning, SEM -tvärsnitt för att bekräfta SIC -skiktintegritet och resterande -GAS -analys för att certifiera PPM -nivå -orenhetsgränser. Eftersom vi insisterar på micro -lot -produktion (färre än 20 stycken per körning) förblir statistiska processkontrolldiagram exceptionellt snäva, vilket gör att vi kan garantera skivor -till -wafer reproducerbarhet som massmarknadsleverantörer helt enkelt inte kan matcha. Anpassade geometrier, fickdjup och kylkanaler på baksidan finns tillgängliga med ledtider så korta som tre veckor, vilket ger OEM -tillverkare med hög blandning för att optimera kammarrecept utan att omarbeta hela hårdvarustackar.

Genom att förena anisotropisk grafit i världsklass med en hermetisk SIC -rustning ger semicorex -bäraren för ICP FABS en långlivad, förorening -omvänd och termisk enhetlig plattform - en som inte bara tål de hårdaste plasmamiljöerna, utan förbättrar aktivt processfönsterbygdhet och form och form. För enhetstillverkare som strävar mot ständigt ständigt linjebredd, brantare profiler och lägre ägandekostnader är det den bärare som valts där varje mikron, varje skiva och varje timme med drifttid räknas.