SiC-paddlar

Semicorex SiC-paddlar är wafer-"bärare" som tar wafers in i ugnar som är varmare än 1000 grader Celsius. Detta är deras viktigaste fördel: hög renhet, hög temperaturstabilitet, för att bibehålla mekanisk styvhet vid transport av provet i extrema miljöer. Material med hög renhet är effektiva för att förhindra att metallföroreningar kontaminerar skivan; så även den höga temperaturstabiliteten hoskiselkarbid, eftersom det kommer att bibehålla kemisk stabilitet vid bearbetningstemperaturer som förhindrar utgasning av metallföroreningar eller partiklar från att kontaminera skivan, vilket säkerställer ett stabilt skivutbyte. Slutligen,fribärande paddlarär också kompatibla med integrerade waferöverföringssystem, vilket ytterligare minskar beroendet av människor och ökar genomströmningen.

SiC-paddlarna är en unik komponent i bäraren, speciellt för transport och integration av halvledarskivor i en batch-arbetsbelastning i processer som högtemperaturoxidation och diffusion, bland annat. Tillverkad med hög renhetkiselkarbid (SiC), SiC-paddlarna ger termisk stabilitet, mekanisk styrka och kemisk hållbarhet för att säkerställa stabil transport över temperaturer på 1000 °C. SiC-paddlarna krävs för bearbetning av wafer: det kommer att säkerställa att ömtåliga substrat kan hanteras på lämpligt sätt samtidigt som integritet och konsistens bibehålls under hela oxidations-, diffusions- och glödgningsprocessen.

Designade för att vara robusta och pålitliga, SiC-paddlarna är en arm som håller waferbåtar eller waferstaplar. Paddeln stöder wafers medan de sätts in eller tas bort från processkammaren. Konventionella material misslyckas vid dessa höga temperaturer genom deformation, skevhet eller kemisk nedbrytning. Den mekaniska stabiliteten och strukturella integriteten hos kiselkarbid gör att paddeln kan överleva flera termiska cykler utan att förlora form eller funktion. Denna förmåga är viktig för att bibehålla ugnens inriktning, för att säkerställa att skivorna inte skadas under processen och för att minimera dyra stillestånd.

SiC-paddlarnas termiska stabilitet kompletteras av dess utmärkta kemiska motståndskraft mot reaktiva gaser som vanligtvis dyker upp i oxidations- och diffusionsprocesser (t.ex. syre, klor och andra aggressiva ämnen vid hög temperatur). Många material kommer att förstöras eller förorenas när de utsätts för både hög temperatur och syre. Kiselkarbid är kemiskt inert och dess täta mikrostruktur säkerställer att kemiska reaktioner inte kommer att inträffa, vilket ger både paddelns strukturella integritet och en ren miljö för wafern. Den resulterande risken för kontaminering hålls till ett minimum för halvledartillverkare som arbetar vid några av de mest avancerade processnoderna för vilka till och med spårelement av föroreningar kan inducera betydande förändringar i enhetens prestanda.

Den mekaniska integriteten som är förknippad med SiC-paddlarna ger också värde i hanteringsprocesser. Den fribärande strukturella formen kräver ett material som kan hålla vikter av lagerstaplar och som inte böjs eller sjunker. Kiselkarbids mycket höga modul och mycket höga hårdhet gör den till en bra hänsyn till den mekaniska strukturella funktion som krävs. SiC Paddle behåller både planhet och struktur även laddad med wafers. Detta innebär konstant kontroll av ugnen och dess förhållanden under långa produktionsperioder.