TaC-beläggningsgrafit skapas genom att belägga ytan på ett grafitsubstrat med hög renhet med ett fint lager av tantalkarbid genom en egenutvecklad process för kemisk ångavsättning (CVD).
Tantalkarbid (TaC) är en förening som består av tantal och kol. Det har metallisk elektrisk ledningsförmåga och en exceptionellt hög smältpunkt, vilket gör det till ett eldfast keramiskt material känt för sin styrka, hårdhet och värme- och slitstyrka. Smältpunkten för tantalkarbider når en topp vid cirka 3880°C beroende på renhet och har en av de högsta smältpunkterna bland de binära föreningarna. Detta gör det till ett attraktivt alternativ när högre temperaturkrav överstiger prestanda som används i epitaxiella processer för sammansatta halvledare som MOCVD och LPE.
Materialdata för Semicorex TaC Coating
Projekt |
Parametrar |
Densitet |
14,3 (gm/cm³) |
Emissionsförmåga |
0.3 |
CTE (×10-6/K) |
6.3 |
Hårdhet (HK) |
2000 |
Motstånd (Ohm-cm) |
1×10-5 |
Termisk stabilitet |
<2500℃ |
Ändring av grafitdimension |
-10~-20um (referensvärde) |
Beläggningstjocklek |
≥20um typiskt värde (35um±10um) |
|
|
Ovanstående är typiska värden |
|
Semicorex Tantalum Carbide Guide Ring är en grafitring belagd med tantalkarbid, som används i kiselkarbidkristalltillväxtugnar för frökristallstöd, temperaturoptimering och förbättrad tillväxtstabilitet. Välj Semicorex för dess avancerade material och design, som avsevärt förbättrar effektiviteten och kvaliteten på kristalltillväxt.*
Läs merSkicka förfråganSemicorex Tantalum Carbide Ring är en grafitring belagd med tantalkarbid, som används som styrring i kiselkarbidkristalltillväxtugnar för att säkerställa exakt temperatur- och gasflödeskontroll. Välj Semicorex för dess avancerade beläggningsteknik och högkvalitativa material, som levererar hållbara och pålitliga komponenter som förbättrar kristalltillväxteffektiviteten och produktens livslängd.*
Läs merSkicka förfråganSemicorex TaC Coating Wafer Tray måste konstrueras för att klara utmaningarna de extrema förhållandena i reaktionskammaren, inklusive höga temperaturer och kemiskt reaktiva miljöer.**
Läs merSkicka förfråganSemicorex TaC Coating Plate utmärker sig som en högpresterande komponent för krävande epitaxiell tillväxtprocess och ytterligare halvledartillverkningsmiljöer. Med sin serie av överlägsna egenskaper kan den i slutändan förbättra produktiviteten och kostnadseffektiviteten hos avancerade halvledartillverkningsprocesser.**
Läs merSkicka förfråganSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon är en oumbärlig tillgång i epitaxivärlden, som ger en robust lösning på de utmaningar som höga temperaturer, reaktiva gaser och stränga renhetskrav innebär.**
Läs merSkicka förfråganSemicorex CVD TaC Coating Cover har blivit en kritisk möjliggörande teknologi i de krävande miljöerna inom epitaxireaktorer, som kännetecknas av höga temperaturer, reaktiva gaser och stränga renhetskrav, vilket kräver robusta material för att säkerställa konsekvent kristalltillväxt och förhindra oönskade reaktioner.**
Läs merSkicka förfrågan