Wafer Process Heater

Semicorex Wafer Process Heater är tillverkad av Silicon Carbide Coating (SiC) grafit, beläggningen appliceras med en CVD-metod på specifika kvaliteter av högdensitetsgrafit, så att den kan arbeta i högtemperaturugnen med över 3000 °C i en inert atmosfär, 2200°C i vakuum.
De speciella egenskaperna och låga massan hos Wafer Process Heater-materialet tillåter snabba uppvärmningshastigheter, jämn temperaturfördelning och enastående precision vid kontroll. I jämförelse med andra material förblir kiselkarbidens yta platt på grund av dess låga termiska expansion även när den används med snabba temperaturförändringar. Varmplattorna lämpar sig mycket väl för krävande processer i halvledarbearbetningssystem.
På Semicorex fokuserar vi på att tillhandahålla högkvalitativa, kostnadseffektiva produkter till våra kunder. Vår Wafer Process Heater har en prisfördel och exporteras till många europeiska och amerikanska marknader. Vi strävar efter att vara din långsiktiga partner som levererar konsekventa kvalitetsprodukter och exceptionell kundservice.

Parametrar för Wafer Process Heater

Funktioner hos Wafer Process Heater

- CVD SiC-beläggningar för att förbättra livslängden.
- Hög temperaturbeständighet, korrosionsbeständighet, lång livslängd, kan förbättra waferns kvalitet och avkastning.
- Den har extremt låg värmeutvidgningskoefficient, hög temperaturbeständighet, hög slitstyrka, bra isolering, bra kemisk stabilitet och nästan lila (röd) synligt ljus.

Vi kan tillhandahålla antioxidations- och grafitdegel med lång livslängd, grafitform och alla delar av grafitvärmare.