Hem > Produkter > Keramisk > Kiselkarbid (SiC) > Keramisk Wafer Carrier
Keramisk Wafer Carrier
  • Keramisk Wafer CarrierKeramisk Wafer Carrier
  • Keramisk Wafer CarrierKeramisk Wafer Carrier
  • Keramisk Wafer CarrierKeramisk Wafer Carrier

Keramisk Wafer Carrier

Semicorex tillhandahåller keramik av halvledarkvalitet för dina OEM-halvledarverktyg och waferhanteringskomponenter med fokus på kiselkarbidlager i halvledarindustrier. Vi har varit tillverkare och leverantör av Ceramic Wafer Carrier i många år. Våra produkter har en bra prisfördel och täcker de flesta av de europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Silicon Carbide Keramiska Wafer Carrier har god motståndskraft mot korrosion och utmärkt motståndskraft mot höga temperaturer och termisk chock. En hög elasticitetsmodul resulterar dessutom i utmärkt dimensionsstabilitet. Dessutom finns det nollporositet och låg pordensitet hos det keramiska materialet.
Vi kan bearbeta alla typer av keramiska waferbärare efter kundernas krav.


Parametrar för Ceramic Wafer Carrier

Tekniska egenskaper

Index

Enhet

Värde

Materialnamn

Reaktionssintrad kiselkarbid

Trycklös sintrad kiselkarbid

Omkristalliserad kiselkarbid

Sammansättning

RBSiC

SSiC

R-SiC

Bulkdensitet

g/cm3

3

3,15 ± 0,03

2,60-2,70

Böjningsstyrka

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)

Kompressionsstyrka

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

Hårdhet

Knapp

2700

2800

/

Breaking Tenacity

MPa m1/2

4.5

4

/

Värmeledningsförmåga

W/m.k

95

120

23

Koefficient för termisk expansion

10-60,1/°C

5

4

4.7

Specifik värme

Joule/g 0k

0.8

0.67

/

Max temperatur i luft

1200

1500

1600

Elastisk modul

Gpa

360

410

240


Semicorex producerade Ceramic Wafer Carrier i tre former, reaktionssintrad kiselkarbid (RBSiC), trycklös sintrad kiselkarbid (SSiC) och Rekristall kiselkarbid (R-SiC).


Skillnaden mellan SSiC och RBSiC:

1. Sintringsprocessen är annorlunda. RBSiC ska infiltrera fritt Si i kiselkarbid vid låg temperatur, SSiC bildas genom naturlig krympning vid 2100 grader.

2. SSiC har slätare yta, högre densitet och högre hållfasthet, för vissa tätningar med strängare ytkrav blir SSiC bättre.

3. Olika använd tid under olika PH och temperatur, SSiC är längre än RBSiC


Funktioner hos Ceramic Wafer Carrier

SiC-belagd grafit med hög renhet
Överlägsen värmebeständighet och termisk enhetlighet
Fin SiC-kristallbelagd för en slät yta
Hög hållbarhet mot kemisk rengöring
Materialet är utformat så att sprickor och delaminering inte uppstår.


Tillgängliga former av kiselkarbidkeramik:

● Keramisk stav / keramisk stift / keramisk kolv

● Keramiskt rör / keramisk bussning / keramisk hylsa

● Keramisk ring / keramisk bricka / keramisk distans

● Keramisk skiva

● Keramisk platta / keramiskt block

● Keramisk kula

● Keramisk kolv

● Keramiskt munstycke

● Keramisk degel

● Andra specialanpassade keramiska delar



Hot Tags: Ceramic Wafer Carrier, Kina, Tillverkare, Leverantörer, Fabrik, Anpassad, Bulk, Avancerad, Hållbar
Relaterad kategori
Skicka förfrågan
Lämna gärna din förfrågan i formuläret nedan. Vi kommer att svara dig inom 24 timmar.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept