Semicorex Graphite Susceptor med SiC-beläggning är en viktig komponent designad för kiselepitaxiprocesser i applicerade material och LPE-enheter (Liquid Phase Epitaxy). Tillverkad av högkvalitativt grafitmaterial belagt med kiselkarbid (SiC), säkerställer denna susceptor överlägsen prestanda och livslängd i halvledartillverkningsmiljöer. Semicorex har åtagit sig att tillhandahålla kvalitetsprodukter till konkurrenskraftiga priser, vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.
SiC-beläggningen på grafitsusceptorn med SiC-beläggning tjänar flera syften. För det första ger den förbättrad termisk stabilitet, vilket möjliggör exakt kontroll över temperaturgradienter under epitaxiella tillväxtprocesser. Denna stabilitet är avgörande för att uppnå enhetliga och högkvalitativa kiselskikt i halvledarwafers. SiC-beläggningen på Graphite Susceptor med SiC-beläggning erbjuder utmärkt motståndskraft mot kemisk korrosion och termisk chock, vilket säkerställer susceptorns integritet även under krävande processförhållanden. Denna hållbarhet leder till förlängd livslängd och minskad stilleståndstid, vilket i slutändan bidrar till högre produktivitet och kostnadseffektivitet för tillverkning av halvledaranläggningar.
Fatdesignen på grafitsusceptorn med SiC-beläggning underlättar effektiv lastning och lossning av wafers, vilket optimerar genomströmningen i epitaxiprocesser. Dessutom är Graphite Susceptor med SiC-beläggning en skräddarsydd produkt, och den kan skräddarsys för att möta specifika krav och preferenser från halvledartillverkare, vilket säkerställer kompatibilitet med olika utrustningskonfigurationer och processparametrar.