SiC-substrat kan ha mikroskopiska defekter, såsom Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) och andra. Dessa defekter orsakas av avvikelser i arrangemanget av atomer på atomnivå. SiC-kristaller kan också ha makroskopiska dislokationer, som Si- ......
Läs merEnligt forskningsresultaten kan TaC-beläggning fungera som ett skydds- och isoleringsskikt för att förlänga grafitkomponenternas livslängd, förbättra radiell temperaturlikformighet, bibehålla SiC-sublimeringsstökiometri, undertrycka föroreningsmigrering och minska energiförbrukningen. I slutändan fö......
Läs merKemisk ångavsättning CVD avser införandet av två eller flera gasformiga råmaterial i en reaktionskammare under vakuum och höga temperaturförhållanden, där de gasformiga råmaterialen reagerar med varandra för att bilda ett nytt material, som avsätts på skivans yta.
Läs mer