Etsning är en viktig process vid halvledartillverkning. Denna process kan kategoriseras i två typer: torretsning och våtetsning. Varje teknik har sina egna fördelar och begränsningar, vilket gör det avgörande att förstå skillnaderna mellan dem. Så, hur väljer du den bästa etsningsmetoden? Vilka är f......
Läs merDen nuvarande tredje generationens halvledare är primärt baserade på kiselkarbid, med substrat som står för 47 % av enhetskostnaderna, och epitaxi står för 23 %, totalt cirka 70 % och utgör den mest avgörande delen av SiC-enhetstillverkningsindustrin.
Läs merHalvledare med stort bandgap (WBG) som kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN) förväntas spela en allt viktigare roll i kraftelektronikenheter. De erbjuder flera fördelar jämfört med traditionella Silicon (Si)-enheter, inklusive högre effektivitet, effekttäthet och växlingsfrekvens. Jonimplantatio......
Läs mer