RTP RTA SiC Coated Carrier

Semicorex är en storskalig tillverkare och leverantör av kiselkarbidbelagd grafitsusceptor i Kina. Semicorex grafitsusceptor konstruerad speciellt för epitaxiutrustning med hög värme- och korrosionsbeständighet i Kina. Vår RTP RTA SiC Coated Carrier har en bra prisfördel och täcker många av de europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex levererar RTP RTA SiC Coated Carrier som används för att stödja wafers, som är riktigt stabil för RTA, RTP eller hård kemisk rengöring. RTP RTA SiC-belagd bärare med hög renhet kiselkarbid (SiC) belagd grafitkonstruktion ger överlägsen värmebeständighet, jämn termisk enhetlighet för konsekvent epi-skikttjocklek och beständighet, och hållbar kemisk beständighet. Fin SiC-kristallbeläggning ger en ren, slät yta, kritisk för hantering eftersom orörda skivor kommer i kontakt med susceptorn på många punkter över hela sitt område.
På Semicorex fokuserar vi på att tillhandahålla högkvalitativ, kostnadseffektiv RTP RTA SiC Coated Carrier, vi prioriterar kundnöjdhet och tillhandahåller kostnadseffektiva lösningar. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner, leverera högkvalitativa produkter och exceptionell kundservice.

Parametrar för RTP RTA SiC Coated Carrier

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggning
SiC-CVD-egenskaper
Kristallstruktur	FCC Î² fas
Densitet	g/cm³	3.21
Hårdhet	Vickers hårdhet	2500
Kornstorlek	Î¼m	2~10
Kemisk renhet	%	99.99995
Värmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Felexural styrka	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt böj, 1300â)	430
Termisk expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Värmeledningsförmåga	(W/mK)	300

Funktioner hos RTP RTA SiC Coated Carrier

- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har god densitet och kan spela en bra skyddande roll i högtemperatur- och korrosiva arbetsmiljöer.
- Kiselkarbidbelagd susceptor som används för enkristalltillväxt har en mycket hög ytplanhet.
- Minska skillnaden i termisk expansionskoefficient mellan grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet, förbättra bindningsstyrkan effektivt för att förhindra sprickbildning och delaminering.
- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har en hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper.
- Hög smältpunkt, hög temperatur oxidationsbeständighet, korrosionsbeständighet.