RTP/RTA SiC Coating Carrier

Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier är konstruerad för att motstå de tuffaste förhållandena i deponeringsmiljön. Med sin höga värme- och korrosionsbeständighet är denna produkt designad för att ge optimal prestanda för epitaxiell tillväxt. Den SiC-belagda bäraren har en hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda för RTA, RTP eller hård kemisk rengöring.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Vår RTP/RTA SiC-beläggningsbärare för MOCVD Epitaxial Growth är den perfekta lösningen för waferhantering och epitaxiell tillväxtbearbetning. Med en slät yta och hög hållbarhet mot kemisk rengöring erbjuder denna produkt tillförlitlig prestanda i tuffa deponeringsmiljöer.
Materialet i vår RTP/RTA SiC-beläggningsbärare är konstruerat för att förhindra sprickor och delaminering, medan den överlägsna värmebeständigheten och den termiska likformigheten säkerställer konsekvent prestanda för RTA, RTP eller hård kemisk rengöring.
Kontakta oss idag för att lära dig mer om vår RTP/RTA SiC-beläggningsbärare

Parametrar för RTP/RTA SiC Coating Carrier

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggning
SiC-CVD-egenskaper
Kristallstruktur	FCC Î² fas
Densitet	g/cm³	3.21
Hårdhet	Vickers hårdhet	2500
Kornstorlek	Î¼m	2~10
Kemisk renhet	%	99.99995
Värmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Felexural styrka	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt böj, 1300â)	430
Termisk expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Värmeledningsförmåga	(W/mK)	300

Funktioner hos RTP/RTA SiC Coating Carrier

SiC-belagd grafit med hög renhet
Överlägsen värmebeständighet och termisk enhetlighet
Fin SiC-kristallbelagd för en slät yta
Hög hållbarhet mot kemisk rengöring
Materialet är utformat så att sprickor och delaminering inte uppstår.