Hem > Produkter > Keramisk > Kiselkarbid (SiC) > Silicon Carbide Keramiska Wafer Båt
Silicon Carbide Keramiska Wafer Båt
  • Silicon Carbide Keramiska Wafer BåtSilicon Carbide Keramiska Wafer Båt
  • Silicon Carbide Keramiska Wafer BåtSilicon Carbide Keramiska Wafer Båt
  • Silicon Carbide Keramiska Wafer BåtSilicon Carbide Keramiska Wafer Båt
  • Silicon Carbide Keramiska Wafer BåtSilicon Carbide Keramiska Wafer Båt
  • Silicon Carbide Keramiska Wafer BåtSilicon Carbide Keramiska Wafer Båt

Silicon Carbide Keramiska Wafer Båt

Semicorex tillhandahåller waferbåtar, piedestaler och skräddarsydda waferbärare för både vertikala/pelare och horisontella konfigurationer. Vi har varit tillverkare och leverantör av kiselkarbidbeläggningsfilm i många år. Vår kiselkarbid keramiska waferbåt har en bra prisfördel och täcker de flesta europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex keramisk waferbåt av kiselkarbid, den ultimata lösningen för waferhantering och skydd vid halvledartillverkning.
Vår keramiska waferbåt av kiselkarbid är tillverkad av högkvalitativt material belagt med ett lager av kiselkarbid (SiC) som används CVD-metoden, som har god motståndskraft mot korrosion och utmärkt motståndskraft mot höga temperaturer och termisk chock. Avancerad keramik ger utmärkt värmebeständighet och plasmahållbarhet samtidigt som den mildrar partiklar och föroreningar för högkapacitets waferbärare.


Parametrar för kiselkarbid keramisk waferbåt

Tekniska egenskaper

Index

Enhet

Värde

Materialnamn

Reaktionssintrad kiselkarbid

Trycklös sintrad kiselkarbid

Omkristalliserad kiselkarbid

Sammansättning

RBSiC

SSiC

R-SiC

Bulkdensitet

g/cm3

3

3,15 ± 0,03

2,60-2,70

Böjningsstyrka

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)

Kompressionsstyrka

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

Hårdhet

Knapp

2700

2800

/

Breaking Tenacity

MPa m1/2

4.5

4

/

Värmeledningsförmåga

W/m.k

95

120

23

Koefficient för termisk expansion

10-60,1/°C

5

4

4.7

Specifik värme

Joule/g 0k

0.8

0.67

/

Max temperatur i luft

1200

1500

1600

Elastisk modul

Gpa

360

410

240


Skillnaden mellan SSiC och RBSiC:

1. Sintringsprocessen är annorlunda. RBSiC ska infiltrera fritt Si i kiselkarbid vid låg temperatur, SSiC bildas genom naturlig krympning vid 2100 grader.

2. SSiC har slätare yta, högre densitet och högre hållfasthet, för vissa tätningar med strängare ytkrav blir SSiC bättre.

3. Olika använd tid under olika PH och temperatur, SSiC är längre än RBSiC


Funktioner hos kiselkarbidkeramisk waferbåt

Överlägsen värmebeständighet och termisk enhetlighet
Fin SiC-kristallbelagd för en slät yta
Hög hållbarhet mot kemisk rengöring
Materialet är utformat så att sprickor och delaminering inte uppstår.



Hot Tags: Silicon Carbide Keramiska Wafer Boat, Kina, Tillverkare, Leverantörer, Fabrik, Anpassad, Bulk, Avancerad, Hållbar
Relaterad kategori
Skicka förfrågan
Lämna gärna din förfrågan i formuläret nedan. Vi kommer att svara dig inom 24 timmar.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept