Kiselkarbid ICP Etsningsplatta

Kiselkarbid ICP Etsningsplattaär kompetent i att leverera stabilt stöd och exakt positionering för wafers i etsningsoperationerna, vilket effektivt förhindrar minskningar i etsningsprecision orsakad av vibrationer eller förskjutning.

Kiselkarbid ICP Etsningsplatta har värmehanteringsförmåga. Överlägsen värmeledningsförmåga avSIC keramikger Silicon Carbide ICP Etching Plate förmågan att snabbt avleda värme, vilket hjälper till att förhindra lokal överhettning av arbetsstycket och säkerställa enhetligheten i etsningstemperaturen, och därigenom förbättra etsningskvaliteten. SiC-keramik har en låg termisk expansionskoefficient, vilket gör att kiselkarbid ICP-etsningsplattan kan bibehålla god dimensionsstabilitet och minska arbetsstyckets förskjutning eller deformation orsakad av termisk expansion.

Kiselkarbid ICP Etsningsplatta, som förlitar sig på dess utmärkta hårdhets- och hållfasthetsegenskaper, visar förmågan att tolerera den mekaniska påfrestning och plasmapåverkan som uppstår under etsningsprocessen med minimal deformation eller skada. Denna förmåga förbättrar effektivt utbytet och produktionseffektiviteten för halvledarenheter.

ICP-operativmiljön kräver renhet på halvledarnivå. Semicorex kiselkarbid ICP-etsningsplatta kan till fullo uppfylla detta krav och levererar exceptionellt motstånd mot kemiska gaser (som klor och fluor) och plasma i ICP-etsningsmiljöer. Denna betydande funktion håller processmiljön ren genom att minska mängden föroreningar som frigörs under etsningsoperationer.

Semicorex prioriterar användarvänlighet och erbjuder skräddarsydda konstruktioner av kiselkarbid ICP-etsningsplatta som sömlöst integreras med befintliga ICP-etsningssystem och är kompatibla med olika konfigurationer. Detta möjliggör en smidig övergång, vilket gör den till en idealisk uppgraderingslösning för utrustningstillverkare.