Semicorex tillhandahåller SiC-göt av N-typ med 4 tum, 6 tum och 8 tum. Vi har varit tillverkare och leverantör av wafers i många år. Vårt 4" 6" 8" N-typ SiC Ingot har en bra prisfördel och täcker de flesta europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.
4 tums N-typ SiC Ingot Specifikation |
||||||||
Föremål |
Produktionsklass |
Dummy betyg |
||||||
Polytyp |
4H |
|||||||
Dopant |
n-typ kväve |
|||||||
Resistivitet |
0,015~0,025 ohm ·cm |
0,015~0,028 ohm ·cm |
||||||
Diameter |
100,25±0,25 mm |
|||||||
Tjocklek |
⥠15 mm |
|||||||
Ytorienteringsfel |
4°mot<11-20>±0,2° |
|||||||
Primär platt orientering |
[1-100]±5,0° |
|||||||
Primär platt längd |
32,5±1,5 mm |
|||||||
Sekundär lägenhet |
90,0°CW från Primary ±5,0°, silikon framsidan uppåt |
|||||||
Sekundär platt längd |
18±1,5 mm |
|||||||
Mikrorördensitet |
â¤0,5 st/cm2 |
â¤10 st/cm2 |
||||||
BPD |
â¤2000 st/cm2 |
-- |
||||||
TSD |
⤠500 st/cm2 |
-- |
||||||
Kantsprickor |
â¤3 eaï¼â¤1mm/ea |
â¤5 eaï¼â¤3mm/ea |
||||||
Polytypområden |
Ingen |
â¤5 % yta |
||||||
Kantindrag |
â¤3 eaï¼â¤1mm bredd och djup |
â¤5 eaï¼â¤2mm bredd och djup |
||||||
Märka |
C-ansikte |
|||||||
Förpackning |
enhet-göt kassett, vakuumförpackning |
|||||||
6 tums N-typ SiC Ingot Specifikation |
||||||||
Föremål |
Produktionsklass |
Dummy betyg |
||||||
Polytyp |
4H |
|||||||
Dopant |
n-typ kväve |
|||||||
Resistivitet |
0,015~0,025 |
0,015~0,028 |
||||||
Diameter |
150,25±0,25 mm |
|||||||
Tjocklek |
⥠15 mm |
|||||||
Ytorienteringsfel |
4°mot<11-20>±0,2° |
|||||||
Primär platt orientering |
[1-100]±5,0° |
|||||||
Primär platt längd |
47,5±1,5 mm |
|||||||
Mikrorördensitet |
â¤0,5 st/cm2 |
â¤10 st/cm2 |
||||||
BPD |
â¤2000 st/cm2 |
-- |
||||||
TSD |
⤠500 st/cm2 |
-- |
||||||
Kantsprickor |
â¤3 eaï¼â¤1mm/ea |
â¤5 eaï¼â¤3mm/ea |
||||||
Polytypområden |
Ingen |
â¤5 % yta |
||||||
Kantindrag |
â¤3 eaï¼â¤1mm bredd och djup |
â¤5 eaï¼â¤2mm bredd och djup |
||||||
Märka |
C-ansikte |
|||||||
Förpackning |
enhet-göt kassett, vakuumförpackning |
|||||||
8 tums N-typ SiC Ingot Specifikation |
||||||||
Föremål |
Produktionsklass |
Forskningsbetyg |
Dummy betyg |
|||||
Polytyp |
4H |
|||||||
Dopant |
n-typ kväve |
|||||||
Resistivitet |
0,015~0,028 |
0,01~0,04 |
NA |
|||||
Diameter |
200,25±0,25 mm |
|||||||
Tjocklek |
NA |
|||||||
Ytorienteringsfel |
4°mot<11-20>±0,5° |
|||||||
Naggorientering |
[1-100]±5,0° |
|||||||
Naggdjup |
1~1,5 mm |
|||||||
Mikrorördensitet |
â¤2 st/cm2 |
â¤10 st/cm2 |
â¤50 st/cm2 |
|||||
BPD |
â¤2000 st/cm2 |
⤠500 st/cm2 |
-- |
|||||
TSD |
⤠500 st/cm2 |
â¤1000 st/cm2 |
-- |
|||||
Kantsprickor |
â¤3 eaï¼â¤1mm/ea |
â¤4 eaï¼â¤2mm/ea |
â¤5 eaï¼â¤3mm/ea |
|||||
Polytypområden |
Ingen |
â¤20 % yta |
â¤30 % yta |
|||||
Kantindrag |
â¤3 eaï¼â¤1mm bredd och djup |
â¤4 eaï¼â¤2mm bredd och djup |
â¤5 eaï¼â¤2mm bredd och djup |
|||||
Märka |
C-ansikte |
|||||||
Förpackning |
enhet-göt kassett, vakuumförpackning |