Hem > Produkter > Rån > SiC Wafer > 4" 6" 8" N-typ SiC-göt
4

4" 6" 8" N-typ SiC-göt

Semicorex tillhandahåller SiC-göt av N-typ med 4 tum, 6 tum och 8 tum. Vi har varit tillverkare och leverantör av wafers i många år. Vårt 4" 6" 8" N-typ SiC Ingot har en bra prisfördel och täcker de flesta europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex tillhandahåller 4" 6" 8" N-typ SiC Ingot. Vi har varit tillverkare och leverantör av wafers i många år.

4 tums N-typ SiC Ingot Specifikation

Föremål

Produktionsklass

Dummy betyg

Polytyp

4H

Dopant

n-typ kväve

Resistivitet

0,015~0,025 ohm ·cm

0,015~0,028 ohm ·cm

Diameter

100,25±0,25 mm

Tjocklek

⥠15 mm

Ytorienteringsfel

4°mot<11-20>±0,2°

Primär platt orientering

[1-100]±5,0°

Primär platt längd

32,5±1,5 mm

Sekundär lägenhet

90,0°CW från Primary ±5,0°, silikon framsidan uppåt

Sekundär platt längd

18±1,5 mm

Mikrorördensitet

â¤0,5 st/cm2

â¤10 st/cm2

BPD

â¤2000 st/cm2

--

TSD

⤠500 st/cm2

--

Kantsprickor

â¤3 eaï¼â¤1mm/ea

â¤5 eaï¼â¤3mm/ea

Polytypområden

Ingen

â¤5 % yta

Kantindrag

â¤3 eaï¼â¤1mm bredd och djup

â¤5 eaï¼â¤2mm bredd och djup

Märka

C-ansikte

Förpackning

enhet-göt kassett, vakuumförpackning

6 tums N-typ SiC Ingot Specifikation

Föremål

Produktionsklass

Dummy betyg

Polytyp

4H

Dopant

n-typ kväve

Resistivitet

0,015~0,025

0,015~0,028

Diameter

150,25±0,25 mm

Tjocklek

⥠15 mm

Ytorienteringsfel

4°mot<11-20>±0,2°

Primär platt orientering

[1-100]±5,0°

Primär platt längd

47,5±1,5 mm

Mikrorördensitet

â¤0,5 st/cm2

â¤10 st/cm2

BPD

â¤2000 st/cm2

--

TSD

⤠500 st/cm2

--

Kantsprickor

â¤3 eaï¼â¤1mm/ea

â¤5 eaï¼â¤3mm/ea

Polytypområden

Ingen

â¤5 % yta

Kantindrag

â¤3 eaï¼â¤1mm bredd och djup

â¤5 eaï¼â¤2mm bredd och djup

Märka

C-ansikte

Förpackning

enhet-göt kassett, vakuumförpackning

8 tums N-typ SiC Ingot Specifikation

Föremål

Produktionsklass

Forskningsbetyg

Dummy betyg

Polytyp

4H

Dopant

n-typ kväve

Resistivitet

0,015~0,028

0,01~0,04

NA

Diameter

200,25±0,25 mm

Tjocklek

NA

Ytorienteringsfel

4°mot<11-20>±0,5°

Naggorientering

[1-100]±5,0°

Naggdjup

1~1,5 mm

Mikrorördensitet

â¤2 st/cm2

â¤10 st/cm2

â¤50 st/cm2

BPD

â¤2000 st/cm2

⤠500 st/cm2

--

TSD

⤠500 st/cm2

â¤1000 st/cm2

--

Kantsprickor

â¤3 eaï¼â¤1mm/ea

â¤4 eaï¼â¤2mm/ea

â¤5 eaï¼â¤3mm/ea

Polytypområden

Ingen

â¤20 % yta

â¤30 % yta

Kantindrag

â¤3 eaï¼â¤1mm bredd och djup

â¤4 eaï¼â¤2mm bredd och djup

â¤5 eaï¼â¤2mm bredd och djup

Märka

C-ansikte

Förpackning

enhet-göt kassett, vakuumförpackning




Hot Tags: 4" 6" 8" N-typ SiC-göt, Kina, tillverkare, leverantörer, fabrik, kundanpassad, bulk, avancerad, hållbar

Relaterad kategori

Skicka förfrågan

Lämna gärna din förfrågan i formuläret nedan. Vi kommer att svara dig inom 24 timmar.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept