4 tum N-typ SiC-substrat

Semicorex tillhandahåller olika typer av 4H och 6H SiC-skivor. Vi har varit tillverkare och leverantör av kiselkarbidprodukter i många år. Vårt 4-tums N-typ SiC-substrat har en bra prisfördel och täcker de flesta europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex har en komplett produktlinje av kiselkarbid(SiC) waferprodukter, inklusive 4H- och 6H-substrat med halvisolerande wafers av N-typ, P-typ och hög renhet, de kan vara med eller utan epitaxi. 4-tums N-typ SiC (kiselkarbid)-substrat är en typ av högkvalitativ wafer gjord av en enkristall av kiselkarbid med en N-typ dopning.

4-tums N-typ SiC-substrat används huvudsakligen i nya energifordon, högspänningstransmission och transformatorstation, vitvaror, höghastighetståg, elmotorer, fotovoltaiska växelriktare, pulserande strömförsörjning och andra områden, som har fördelarna med att minska utrustningen energiförlust, förbättring av utrustningens tillförlitlighet, minskning av utrustningens storlek och förbättring av utrustningens prestanda, och har oersättliga fördelar vid tillverkning av kraftelektroniska apparater.

Föremål	Produktion	Forskning	Dummy
Kristallparametrar
Polytyp	4H
Ytorienteringsfel	<11-20 >4±0,15°
Elektriska parametrar
Dopant	n-typ kväve
Resistivitet	0,015-0,025 ohm·cm
Mekaniska parametrar
Diameter	99,5 - 100 mm
Tjocklek	350±25 Î¼m
Primär platt orientering	[1-100]±5°
Primär platt längd	32,5±1,5 mm
Sekundärt platt läge	90° CW från primär plan ±5°. silikon framsidan uppåt
Sekundär platt längd	18±1,5 mm
TTV	â¤5 Î¼m	â¤10 Î¼m	â¤20 Î¼m
LTV	â¤2 Î¼m (5mm*5mm)	â¤5 Î¼m(5mm*5mm)	NA
Rosett	-15Î¼m ~ 15Î¼m	-35Î¼m ~ 35Î¼m	-45Î¼m ~ 45Î¼m
Varp	â¤20 Î¼m	â¤45 Î¼m	â¤50 Î¼m
Främre (Si-face) grovhet (AFM)	Raâ¤0,2nm (5Î¼m*5Î¼m)
Strukturera
Mikrorördensitet	â¤1 st/cm2	â¤5 st/cm2	â¤10 st/cm2
Metallföroreningar	â¤5E10atomer/cm2		NA
BPD	â¤1500 st/cm2	â¤3000 st/cm2	NA
TSD	â¤ 500 st/cm2	â¤1000 st/cm2	NA
Främre kvalitet
Främre	Si
Ytfinish	Si-face CMP
Partiklar	â¤60ea/wafer (storlekâ¥0,3Î¼m)	NA
Repor	â¤2ea/mm. Kumulativ längd â¤Diameter	Kumulativ längdâ¤2*Diameter	NA
Apelsinskal/gropar/fläckar/ränder/sprickor/kontamination	Ingen		NA
Kantspån/indrag/brott/sexplåtar	Ingen		NA
Polytypområden	Ingen	Kumulativ ytaâ¤20 %	Kumulativ ytaâ¤30 %
Lasermärkning framtill	Ingen
Ryggkvalitet
Bakre finish	C-face CMP
Repor	â¤5ea/mm,kumulativ längdâ¤2*Diameter	NA
Ryggdefekter (kantspån/indrag)	Ingen
Ryggsträvhet	Raâ¤0,2nm (5Î¼m*5Î¼m)
Lasermärkning på baksidan	1 mm (från överkant)
Kant
Kant	Avfasning
Förpackning
Förpackning	Innerpåsen fylls med kväve och ytterpåsen dammsugs. Multi-wafer-kassett, epi-ready.
*Notesï¼ "NA" betyder ingen begäran. Objekt som inte nämns kan referera till SEMI-STD.