4 tum N-typ SiC-substrat

Semicorex tillhandahåller olika typer av 4H och 6H SiC-skivor. Vi har varit tillverkare och leverantör av kiselkarbidprodukter i många år. Vårt 4-tums N-typ SiC-substrat har en bra prisfördel och täcker de flesta europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex har en komplett produktlinje av kiselkarbid (SiC) waferprodukter, inklusive 4H och 6H substrat med N-typ, P-typ och hög renhet halvisolerande wafers, de kan vara med eller utan epitaxi. 4-tums N-typ SiC (kiselkarbid) substrat är en typ av högkvalitativ wafer gjord av en enkristall av kiselkarbid med en N-typ dopning.

4-tums N-typ SiC-substrat används huvudsakligen i nya energifordon, högspänningstransmission och transformatorstation, vitvaror, höghastighetståg, elmotorer, fotovoltaiska växelriktare, pulserande strömförsörjning och andra områden, som har fördelarna med att minska utrustningen energiförlust, förbättring av utrustningens tillförlitlighet, minskning av utrustningens storlek och förbättring av utrustningens prestanda, och har oersättliga fördelar vid tillverkning av kraftelektroniska apparater.

Föremål	Produktion	Forskning	Dummy
Kristallparametrar
Polytyp	4H
Ytorienteringsfel	<11-20 >4±0,15°
Elektriska parametrar
Dopant	n-typ kväve
Resistivitet	0,015-0,025 ohm·cm
Mekaniska parametrar
Diameter	99,5 - 100 mm
Tjocklek	350±25 μm
Primär platt orientering	[1-100]±5°
Primär platt längd	32,5±1,5 mm
Sekundärt plant läge	90° CW från primär plan ±5°. silikon framsidan uppåt
Sekundär platt längd	18±1,5 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm (5mm*5mm)	≤5 μm (5mm*5mm)	ATT
Rosett	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Varp	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Främre (Si-face) grovhet (AFM)	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Strukturera
Mikropipstäthet	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Metallföroreningar	≤5E10atomer/cm2		ATT
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	ATT
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	ATT
Främre kvalitet
Främre	Och
Ytfinish	Si-face CMP
Partiklar	≤60ea/wafer (storlek≥0,3μm)	ATT
Repor	≤2ea/mm. Kumulativ längd ≤Diameter	Kumulativ längd≤2*Diameter	ATT
Apelsinskal/gropar/fläckar/ränder/sprickor/kontamination	Ingen		ATT
Kantspån/indrag/brott/sexplåtar	Ingen		ATT
Polytypområden	Ingen	Kumulativ yta≤20 %	Kumulativ yta≤30 %
Lasermärkning framtill	Ingen
Ryggkvalitet
Bakre finish	C-face CMP
Repor	≤5ea/mm, Kumulativ längd≤2*Diameter	ATT
Ryggdefekter (kantspån/indrag)	Ingen
Ryggsträvhet	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Lasermärkning på baksidan	1 mm (från överkant)
Kant
Kant	Avfasning
Förpackning
Förpackning	Innerpåsen fylls med kväve och ytterpåsen dammsugs. Multi-wafer kassett, epi-ready.
*Anmärkningar: "NA" betyder ingen begäran. Objekt som inte nämns kan referera till SEMI-STD.