Semicorex tillhandahåller olika typer av 4H och 6H SiC-skivor. Vi har varit tillverkare och leverantör av wafers i många år. Vår dubbelpolerade 6-tums N-typ SiC Wafer har en bra prisfördel och täcker de flesta europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.
Semicorex har en komplett produktlinje av kiselkarbid(SiC) waferprodukter, inklusive 4H- och 6H-substrat med halvisolerande wafers av N-typ, P-typ och hög renhet, de kan vara med eller utan epitaxi. Vårt 4-tums N-typ SiC (kiselkarbid) substrat är en typ av högkvalitativ wafer gjord av en enkristall av kiselkarbid med en N-typ dopning, som är dubbelpolerad.
6 tum N-typ SiC Wafer används huvudsakligen i nya energifordon, högspänningstransmission och transformatorstation, vitvaror, höghastighetståg, elmotorer, fotovoltaiska växelriktare, pulserande strömförsörjning och andra områden, som har fördelarna med att minska utrustningen energiförlust, förbättring av utrustningens tillförlitlighet, minskning av utrustningens storlek och förbättring av utrustningens prestanda, och har oersättliga fördelar vid tillverkning av kraftelektroniska apparater.
Föremål |
Produktion |
Forskning |
Dummy |
Kristallparametrar |
|||
Polytyp |
4H |
||
Ytorienteringsfel |
<11-20 >4±0,15° |
||
Elektriska parametrar |
|||
Dopant |
n-typ kväve |
||
Resistivitet |
0,015-0,025 ohm·cm |
||
Mekaniska parametrar |
|||
Diameter |
150,0±0,2 mm |
||
Tjocklek |
350±25 μm |
||
Primär platt orientering |
[1-100]±5° |
||
Primär platt längd |
47,5±1,5 mm |
||
Sekundär lägenhet |
Ingen |
||
TTV |
â¤5 μm |
â¤10 μm |
â¤15 μm |
LTV |
â¤3 μm(5mm*5mm) |
â¤5 μm(5mm*5mm) |
â¤10 μm(5mm*5mm) |
Rosett |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
Varp |
â¤35 μm |
â¤45 μm |
â¤55 μm |
Främre (Si-face) grovhet (AFM) |
Raâ¤0,2nm (5μm*5μm) |
||
Strukturera |
|||
Mikrorördensitet |
<1 e/cm2 |
<10 e/cm2 |
<15 e/cm2 |
Metallföroreningar |
â¤5E10atomer/cm2 |
NA |
|
BPD |
â¤1500 st/cm2 |
â¤3000 st/cm2 |
NA |
TSD |
⤠500 st/cm2 |
â¤1000 st/cm2 |
NA |
Främre kvalitet |
|||
Främre |
Si |
||
Ytfinish |
Si-face CMP |
||
Partiklar |
â¤60ea/wafer (storlekâ¥0,3μm) |
NA |
|
Repor |
â¤5ea/mm. Kumulativ längd â¤Diameter |
Kumulativ längdâ¤2*Diameter |
NA |
Apelsinskal/gropar/fläckar/ränder/sprickor/kontamination |
Ingen |
NA |
|
Kantspån/indrag/brott/sexplåtar |
Ingen |
||
Polytypområden |
Ingen |
Kumulativ ytaâ¤20 % |
Kumulativ ytaâ¤30 % |
Lasermärkning framtill |
Ingen |
||
Ryggkvalitet |
|||
Bakre finish |
C-face CMP |
||
Repor |
â¤5ea/mm,kumulativ längdâ¤2*Diameter |
NA |
|
Ryggdefekter (kantspån/indrag) |
Ingen |
||
Ryggsträvhet |
Raâ¤0,2nm (5μm*5μm) |
||
Lasermärkning på baksidan |
1 mm (från överkant) |
||
Kant |
|||
Kant |
Avfasning |
||
Förpackning |
|||
Förpackning |
Epi-ready med vakuumförpackning Multi-wafer kassettförpackning |
||
*Notesï¼ "NA" betyder ingen begäran. Objekt som inte nämns kan referera till SEMI-STD. |