4" 6" High Purity Halvisolerande SiC-göt

Semicorex tillhandahåller högrent halvisolerande SiC-göt med 4 tum och 6 tum. Vi har varit tillverkare och leverantör av wafers i många år. Vårt 4" 6" High Purity Halvisolerande SiC-göt har en bra prisfördel och täcker de flesta av de europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Vårt 4" 6" High Purity Halvisolerande SiC-göt har en bra prisfördel och täcker de flesta av de europeiska och amerikanska marknaderna. Vi ser fram emot att bli din långsiktiga partner i Kina.

4 tums halvisolerande SiC-götspecifikation
Föremål	Produktionsklass	Dummy betyg
Polytyp	4H
Resistivitet/ohm ·cm	ATT
Diameter	100,25±0,25 mm
Tjocklek	≥15 mm
Ytorienteringsfel	0±0,2°
Primär platt orientering	[1-100]±5,0°
Primär platt längd	32,5±1,5 mm
Sekundär lägenhet	90,0°CW från Primary ±5,0°, silikon framsidan uppåt
Sekundär platt längd	17±1,5 mm
Mikropipstäthet	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Kantsprickor	≤3 av，≤1 mm/ea	≤5 av，≤3 mm/ea
Polytypområden	Ingen	≤5 % yta
Kantindrag	≤3 ea，≤1mm bredd och djup	≤5 ea，≤2mm bredd och djup
Märka	C-ansikte
Förpackning	enhet-göt kassett, vakuumförpackning

6 tums halvisolerande SiC-götspecifikation
Föremål	Produktionsklass	Dummy betyg
Polytyp	4H
Resistivitet/ohm ·cm	ATT
Diameter	150,25±0,25 mm
Tjocklek	≥10 mm
Ytorienteringsfel	0±0,25°
Naggorientering	[1-100]±5,0°
Naggdjup	1~1,25 mm
Mikropipstäthet	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Kantsprickor	≤3 av，≤1 mm/ea	≤5 av，≤3 mm/ea
Polytypområden	Ingen	≤5 % yta
Kantindrag	≤3 ea，≤1mm bredd och djup	≤5 ea，≤2mm bredd och djup
Märka	C-ansikte
Förpackning	enhet-göt kassett, vakuumförpackning