Hem > Produkter > Silikonkarbidbelagd > Barrel Susceptor > Barrel Susceptor för vätskefas epitaxi
Barrel Susceptor för vätskefas epitaxi

Barrel Susceptor för vätskefas epitaxi

Om du behöver en grafitsusceptor som kan fungera tillförlitligt och konsekvent även i de mest krävande högtemperatur- och korrosiva miljöerna, är Semicorex Barrel Susceptor for Liquid Phase Epitaxy det perfekta valet. Dess kiselkarbidbeläggning ger utmärkt värmeledningsförmåga och värmefördelning, vilket säkerställer exceptionell prestanda i halvledartillverkning.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Semicorex Barrel Susceptor för Liquid Phase Epitaxy är det bästa valet för halvledartillverkning som kräver hög värme- och korrosionsbeständighet. Dess högrena SiC-beläggning och exceptionella värmeledningsförmåga ger överlägset skydd och värmefördelningsegenskaper, vilket säkerställer pålitlig och konsekvent prestanda även i de mest utmanande miljöer.

Vår fatsusceptor för vätskefasepitaxi är designad för att uppnå det bästa laminära gasflödesmönstret, vilket säkerställer en jämn termisk profil. Detta hjälper till att förhindra kontaminering eller spridning av föroreningar, vilket säkerställer högkvalitativ epitaxiell tillväxt på waferchipset.

Kontakta oss idag för att lära dig mer om vår Barrel Susceptor for Liquid Phase Epitaxi.


Parametrar för fatsusceptor för vätskefasepitaxi

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggning

SiC-CVD-egenskaper

Kristallstruktur

FCC β fas

Densitet

g/cm³

3.21

Hårdhet

Vickers hårdhet

2500

Kornstorlek

μm

2~10

Kemisk renhet

%

99.99995

Värmekapacitet

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimeringstemperatur

2700

Felexural styrka

MPa (RT 4-punkts)

415

Youngs modul

Gpa (4pt böj, 1300â)

430

Termisk expansion (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Värmeledningsförmåga

(W/mK)

300


Funktioner hos Barrel Susceptor för vätskefas epitaxi

- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har god densitet och kan spela en bra skyddande roll i högtemperatur- och korrosiva arbetsmiljöer.

- Kiselkarbidbelagd susceptor som används för enkristalltillväxt har en mycket hög ytplanhet.

- Minska skillnaden i termisk expansionskoefficient mellan grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet, förbättra bindningsstyrkan effektivt för att förhindra sprickbildning och delaminering.

- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har en hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper.

- Hög smältpunkt, hög temperatur oxidationsbeständighet, korrosionsbeständighet.






Hot Tags: Barrel Susceptor för vätskefas epitaxi, Kina, tillverkare, leverantörer, fabrik, kundanpassad, bulk, avancerad, hållbar

Relaterad kategori

Skicka förfrågan

Lämna gärna din förfrågan i formuläret nedan. Vi kommer att svara dig inom 24 timmar.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept