CVD SiC Coated Barrel Susceptor

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor är en noggrant konstruerad komponent skräddarsydd för avancerade halvledartillverkningsprocesser, särskilt epitaxi. Konstruerad med precision och innovation, är denna CVD SiC Coated Barrel Susceptor designad för att underlätta epitaxiella tillväxten av halvledarmaterial på wafers med oöverträffad effektivitet och tillförlitlighet.

Vid CVD SiC Coated Barrel Susceptor-kärna ligger en robust grafitstruktur, känd för sin exceptionella värmeledningsförmåga och mekaniska styrka. Denna grafitbas fungerar som en stabil grund för susceptorn, vilket säkerställer stabilitet och livslängd under de krävande förhållandena för epitaxiella reaktorer.

Förstärkning av grafitsubstratet är en banbrytande beläggning av Chemical Vapor Deposition (CVD) kiselkarbid (SiC). Denna specialiserade SiC-beläggning appliceras noggrant genom en process av kemisk ångavsättning, vilket resulterar i ett enhetligt och hållbart lager som täcker grafitytan. CVD SiC-beläggningen av CVD SiC Coated Barrel Susceptor introducerar en myriad av fördelar som är avgörande för epitaxiella processer.

CVD SiC-beläggning av CVD SiC Coated Barrel Susceptor uppvisar exceptionella termiska egenskaper, inklusive hög värmeledningsförmåga och termisk stabilitet. Dessa egenskaper är avgörande för att säkerställa enhetlig och exakt uppvärmning av halvledarskivor under epitaxiell tillväxt, vilket främjar konsekvent lageravsättning och minimerar defekter i slutprodukten.

Den tunnformade designen av CVD SiC Coated Barrel Susceptor är optimerad för effektiv laddning och lossning av skivor, samt optimal värmefördelning över skivans yta. Denna designfunktion, tillsammans med den överlägsna prestandan hos CVD SiC-beläggningen, garanterar oöverträffad processkontroll och utbyte vid epitaxiella tillverkningsoperationer.